技术编号:6894884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路,尤其涉及半导体体电路中的应变沟道晶体管。背景技术MOS晶体管的性能可通过在沟道区中产生一适合的应力而提升,因此制 造出所谓的应变沟道晶体管。例如可通过在晶体管的沟道区产生一张应力来 增强n沟道晶体管的性能,以及可通过在晶体管的沟道区产生一压应力来增 强p沟道晶体管的性能。一些常见的沟道晶体管使用一高应力盖层(high-stress capping layer)覆盖 于晶体管上,以产生需要的应力。其它常见的应变沟道晶体管则在栅极结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。