技术编号:6894983
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的来说涉及 一 种用于制造碳化硅(S i c)半导体装置的方法,尤其涉及 一 种用于制造具有M()S(Metal-Oxide-Semiconductor ,金属氧化物半导体)结构的 SiC半导体装置的栅极氧化膜的方法。背景技术存在能够在高压和高温下以极低损耗运行的碳化硅装置。 这是由于使用了大直径晶片(目前为直径达到4英寸的4H-SiC), 由于MOS界面的j氐沟道迁移率(low channel mobility ),因而之 前使用大直径晶片存在问...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。