技术编号：6895378
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明与光刻胶剥离剂组合物有关，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件制造工艺中用于剥离光刻胶。湿法刻蚀工艺使用混合酸的液相组合物，而在干法蚀刻工艺中，蚀刻工艺经由等离子体刻蚀气体与传导层之间的气相和固相反应所实施。因为干法蚀刻容易控制和能得到尖细的图形，所以它成为近期蚀刻工艺的主流。不过，在干法蚀刻中，等离子体刻蚀气体的离子和自由基引起与光刻胶膜的复杂化学反应，迅速使光刻胶硬化，光刻胶变得难以去除。特别对于象铝、铝合金...
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