技术编号:6895436
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体设备5 本发明关于一种具有源区域和漏区域之间的半导体基板成为沟道区域 的MOS晶体管的半导体设备,更具体地说,关于一种掩模轻掺杂渗漏(Masked-LDD (Lightly D叩ed Drain))晶体管。所述半导体设备包括 在第一导电型半导体基板的表面侧相互间隔配置的第二导电型漏区域和源 区域;在源区域和漏区域之间的半导体基板上形成的栅绝缘膜;及在栅绝缘 10 膜上形成的栅电极。背景技术与近年移动电话机及便携式游戏机的市场扩大相对应,对于用于液晶驱...
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