技术编号:6895591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,特别涉及包括具有绝缘栅型场效应部的半 导体元件的半导体装置。背景技术功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 场效应晶体管)、IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅型双 极晶体管)、二极管等功率半导体元件用作功率用途的半导体装置。为 使功率半导体元件通电时的损失降低,要求低电阻化和高速化。 一般, 在功率半导体元...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。