技术编号:6896114
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体装置的制造方法,且特别是有关于一种用可 提高操作电压的半导体装置的制造方法。背景技术高压金属氧化物半导体晶体管被广泛地应用于许多电子装置中,如中央 处理器的电压供应器、电源管理系统、交直流转换器等。由于高压金属氧化 物半晶体管通常是操作于高操作电压之下,因此可能会造成一高电场而导致沟道与漏极的接合面附近产生极多的热电子。这些热电子会将漏极附近的电 子提升至导通带中而形成电子-空穴对,而对漏极附近的共价电子造成影响。大部份因热电子而被...
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