技术编号：6896179
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。更具体 地，本发明的实施例涉及用于形成半导体器件的双栅电极的方法， 其改进了制造生产率以及半导体性能。背景技术通常，在典型为半导体器件的MOSFET (金属氧化物半导体场 效应晶体管)中，在半导体村底中形成有器件绝缘层，而在相应的 半导体衬底上形成有栅电才及，而且形成具有注入到位于4册电极和器 件隔离层之间的半导体衬底中的掺杂离子的源极区/漏极区。这类具有注入到源才及区/漏极区中的p-型掺杂离子的MOSFET 被称为p-沟道MOSFET (即，...
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