技术编号:6896841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件及其制造方法,尤其涉及一种内存组件及其制 造方法。背景技术集成电路不断向尺寸缩小与速度加快的方向发展,动态随机存储内存(DRAM)的制造技术也是如此,尤其是内存存储容量的增加更是最重要的关键。 现已发展出的沟槽型电容器,相对于传统的平板式晶体管来说,占半导体表面 的面积较小,可符合高度集成化的需求。图1所示为一现有深沟槽式动态随才;u存储内存的平面图若干个椭圆形的深沟槽电容器102交错排列,存储单元(深沟槽电容器102)被垂直方向延...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。