技术编号:6897422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体及其形成方法,更具体地,涉及一种半 导体以及一种形成半导体器件的棚4及的方法,包4舌由高介电常凄t (高K, (high-k))材料制成的栅极绝缘膜。背景技术由于半导体器件的高度集成化以及MOS场效应晶体管 (MOSFET)的形体尺寸减小,棚4及长度和在4册才及之下形成的沟道 的长度也减小。因此,为了增加栅—及和沟道之间的电容并才是高晶体 管的操作特性,有必要形成薄的栅极绝缘膜。然而,目前代表性地 使用的栅极绝缘膜由硅氧化物膜或硅氮氧化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。