技术编号:6898831
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器件,且更具体地,涉及非易失性存储器 件及其制造方法。背景技术可将半导体存储器件分类成易失性存储器件以及非易失性存储器 件。即使电源被切断,非易失性存储器件也能保持存储于其中的数据。 因此,非易失性存储器件可用于计算机、移动电信系统、存储器卡等 之中。闪速存储器件是一种这样的非易失性存储器件。具有叠置栅极结 构的存储器单元可用在闪速存储器件中。叠置栅极结构可以包括顺序 叠置在沟道区上的隧穿氧化层、浮动栅极、栅极间介电层和控制栅极 电极。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。