技术编号：6898866
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及节能电路。具体而言，涉及具有包含高k介质的栅极介质 和包含金属的栅极的电路结构。本发明还涉及调整阔值电压以适应低功率 操作的方法。背景技术当今集成电路包括大量的器件。较小的器件以及缩小原则是提高性能 和降低成本的关键。随着FET (场效应晶体管)器件的按比例缩小，技术 变得更加复杂，需要改变器件结构以及新的制造方法以保持器件从一代到 下一代的希望的性能提高。微电子技术的主要材料是硅(Si)，或更广泛 地，Si基材料。除其它的材料之外， 一种用于微...
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