技术编号:6898954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,所涉及的薄膜稀土族永久磁铁的构成是,具有1个以上原子层叠体单元,该单元在单结晶硅片那样良好的表面粗糙度、平坦度的非磁性材料基片上,设置稀土族元素的单原子层后,层叠了多层过渡金属元素的单原子层,从而获得在层叠方向具有易磁化轴,并具有高磁特性的薄膜磁铁。作为提高磁特性的对策,特开平6-151226公开了一种按规定厚度重复层叠Nd-Fe-B系磁铁层和过渡金属层的方法。该方法存在的问题是,Nd-Fe-B的易磁化轴,即C轴的生长方向因基底的过渡金属层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。