技术编号:6899499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及包含具有金属栅电极的MISFET的互补型。 背景技术近年来,在C誦MISFET(complementary metal insulator semiconductorFET互补型金属氧化膜半导体场效应晶体管)中,随着微细化,由SiON 构成的栅极绝缘膜薄膜化,隧道电流导致的通过栅极绝缘膜的漏电流成 为问题。对于此,栅极绝缘膜的材料使用作为high-k材料(高介电常数材料) 的铪或硅酸铪,将栅极绝缘膜作成一定膜厚,防止产生漏电流。此外, ...
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