技术编号:6899931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造的,特别是在一种在制造过程中改变 程序以降低栅极电阻的方法。背景技术在0.3(Hmi及其以上的制程中,栅极材料大多选用多晶硅化金属结构,例如 硅化钨(WSi)。在栅极结构蚀刻完成后,先经过一步薄氧热制程,现有技术中, 这步热制程温度为800摄氏度,时间大约控制在30分钟,然后在沉积四乙氧基 硅垸TEOS,并进行侧间隙壁(Spacer)蚀刻。采用此方法形成的栅极结构,其 栅极电阻值偏高,例如如图l所示,1500A的150.9nm的WS...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。