技术编号:6899940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及一种制造的产品,尤其是一种具有通孔的集 成电3各以及制造该集成电路的方法。背景技术集成电路包括通过内部电气布线连接至彼此以及下一个结构 层次的电子器件。硅载体衬底常被用于高引线数、高布线密度、以 及高信号速度。硅衬底给出了应用高密度薄膜金属化和具有传统工 具的绝缘材料的可能性。此外,硅表面的高平坦度使细线多级再分酉己(thin line multi level redistribution )可4亍。it匕夕卜,石圭4十底的4尤良 匹配允许...
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