技术编号:6900029
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成非易失性存储器件的方法,并且更具体地涉及形 成具有电荷俘获层的非易失性存储器件的栅极的方法。背景技术通常,用于存储数据的半导体存储器件分为易失性存储器件或非易失 性存储器件。当不施加电源时,易失性存储器件丟失其存储的数据,而非 易失性存储器件在不施加电源时仍保持其存储的数据。非易失性存储器件 广泛用于移动电话系统、用于存储音乐和/或图像数据的存储卡,以及在其 中可以不必始终提供功率或仅仅需要小功率的务fr下的其它适用的器件。 非易失性存储...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。