技术编号：6900047
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种具有金属绝纟彖体金属(MIM)电容器的 半导体器件，更具体地，涉及一种具有在减小电容器区时可以提高 电容的MIM电容器的半导体器件及其制造方法。背景技术对结合存4渚器和逻辑部件的半导体器件(merged memory and logic semiconductor)的4吏用和关注日益增力口。结合存寸诸器和逻辑部 件的器件是一种将诸如动态随机存取存储器(DRAM)的存储器和 诸如逻辑电^各的逻辑部件在单个芯片中实现的结构。由于在对i殳计 ...
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