技术编号：6900518
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁阻随机访问存储器(MRAM)，尤其涉及磁隧道结(MTJ)MRAM阵列和连接阵列的具体体系结构。背景技术 磁阻随机访问存储器(MRAM)的体系结构由多个存储器单元或存储器单元阵列，和多个数元(digit)与位(bit)线交点组成。通常使用的磁阻存储器单元由磁隧道结(MTJ)，隔离晶体管和数元与位线的交点组成。隔离晶体管通常是n沟道场效应晶体管(FET)。互连堆叠将隔离晶体管连接到MTJ器件，位线(bit line)和被用来产生用于对MRAM单元进...
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