技术编号：6900619
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括作为静电放电(下文称为ESD)保护元件的由浅沟槽结构隔离 的n型MOS (NMOS)晶体管。 背景狱在包括MOS晶体管的半导体器件中， 一不导通晶体管被用作ESD保护元 件用于防止由于由用于外部连接的焊盘的静电而导致的内部电路的击穿，该不 导通晶体管是其栅极电位被固定在地(Vss)的处于不导通状态的NMOS晶体 管。由于不像形成例如逻辑电路的内部电路的普通MOS晶体管，所述不导通 晶体管必须立即流过由静电产生的大量的电流，所以在很多情况下对于...
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