技术编号:6902243
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用具有电荷积累层和控制栅的存储晶体管的可电 改写的非易失性半导体存储器件(EEPROM)及其制造方法。背景技术众所周知,具有MOS晶体管结构的EEPROM的存储单元具有 在栅部的电荷积累层和控制栅并使用隧道电流将电荷注入电荷积累层 和将电荷从电荷积累层中释放。该存储单元存储因电荷积累层的电荷 积累状态不同所导致的阈值电压的差,作为数据"0"和"1"。例如为了 将电子注入至作为电荷积累层的浮栅中,源和漏扩散层以及衬底被接 地以对控制栅施加高的正电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。