技术编号：6902304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到。本发明特别牵涉到在混合电路和功率集成电路中可用作分立器件的高压/功率半导体器件，并特别涉及场效应晶体管，如功率MOSFET、绝缘栅双极晶体管(IGBTs)和其他类型的功率器件如二极管、晶体管和闸流管。背景技术 对于用在集成电路中的器件设计，为了便于使用，主电极(不同场合称为阳极/阴极、漏极/源极和发射极/收集极)和控制极(称为栅极或基极)都布置在器件表面上是优选的。主回路的电流在主电极间流动，因而大体上是横向的。因此这样的器件典型地被称为横向...
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