技术编号：6903165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，且更具体地，涉及一种制造凹槽 冲册晶体管的方法。背景技术随着半导体器件的复杂度和/或集成度的增加，晶体管的沟道长 度已经显著地减d、。这种沟道长度的减小引起使晶体管的阈值电压 急剧降〗氐的问题，通常称作"短沟道效应"。短沟道要求相对大量 的沟道离子注入以使_ <吏源区和漏才及区之间的穿通4争性(punch-through characteristics )最大4匕。为了最大4匕这种4豆沟道岁文 应，凹槽栅晶体管近来已经引起关...
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