技术编号：6903183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造具有改善的电流特性和高电子迁移率的薄膜晶体管的 方法，其中当通过金属诱导晶化使得非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜时，对 非晶硅薄膜的退火条件和掺杂到非晶硅薄膜中的金属催化剂的量进行优 化，以减少在多晶硅薄膜晶界处分布的金属珪化物的区域，并且其中提供 氧(02)气体或水(H20)蒸汽以在多晶硅薄膜表面上形成钝化膜。背景技术通常，多晶硅薄膜用于有源矩阵(active matrix)液晶显示器、有源矩 阵有机发光二极管和太阳能电池。通常，通过晶化使得非晶...
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