技术编号：6903648
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺，特别是涉及一种控制源/漏结电容的方法和PMOS晶体管的形成方法。背景技术在当今超大规模集成电路(VLSI)技术中，工作速度和功耗是衡量系统性能的两大关键参数。特别是对于便携式电子设备来说，为了省电，系统功耗要求越低越好。 一种提高系统工作速度同时又降低系统功耗的方法是减少芯片的各晶体管的输出负载。 以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为例，在晶体管的形成工艺中，由于源/漏(S/D)注入和阱/阈值电压(well/thresho...
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