技术编号:6903992
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET) 及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术以及相关配套技术的不断发展进步,在单位面积内容纳的晶 体管数目不断增加,集成电路集成度越来越高,每个晶体管的尺寸越来越小。当晶体管尺寸 縮小时,其栅极的长度也会随之变短。随着栅极长度的不断縮短,要求源/漏极以及源/漏 极延伸区(Source/Drain Extension)相应地变浅,当前工艺水平要求半导体器件的源/漏 极结的深度小于1000埃,...
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