技术编号:6904509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着各种电子产品朝小型化发展的趋势,DRAM组件的设计也必须符合 高集成度、高密度的要求。沟槽电容DRAM组件结构即为业界所广泛采用 的高密度DRAM架构之一,其在半导体基材中蚀刻出深沟槽并在其内制成 沟槽电容,因而可有效缩小存储单元的尺寸,妥善利用芯片空间。但是,不 论是沟槽式或堆叠电容DRAM组件结构,均已面临特征尺寸的限制,难以 在有限的存储单元阵列布局尺寸下增加电容。曾有已知技术于一 DRAM组件结构中使用到沟槽电容及堆叠电容二者。 例如,美国专利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。