半导体装置及其制造方法技术资料下载

技术编号:6904674

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0001本发明涉及具备MOSFET的。背景技术0002以高频移动通信的惊人普及为代表,借助超高速高功能半导体装 置的实现,社会生活的信息化正在明显地进行中。与此同时,对它们 中采用的各个半导体元件的高速化、微细化、大规模集成化、单芯片 化的要求也随着时间而增加。但是,在考虑作为这些半导体元件的主 要构成要素的MOSFET的微细化、高速化时,伴随有各种困难。0003例如,随着MOSFET的沟道长度即栅极电极长度的缩小,阈值 电压降低(短沟道效应)。若形成与半...
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