技术编号：6905143
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明领域本发明涉及场效应晶体管，特别的，涉及基于一维半导体纳米材料构建的自对准场效 应晶体管。背景技术以半导体纳米碳管为基础的纳米电子学具有巨大的应用前景，被认为是最有可能取代 目前以硅为基础的微电子集成电路工艺的技术。通过近十年的研究，人们认识到基于半导 体纳米碳管构建的许多纳米电子器件，特别是场效应晶体管，在功耗、速度和集成度等主 要性能指标方面显示出了明显优于硅基MOSFET的特征。另外，由于碳纳米管场效应晶体 管的极性取决于其源漏电极金属的性质，人...
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