技术编号:6905468
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体器件,特别是基于ni-v族化合物半导体材 料异质结结构的槽栅型源场板高电子迁移率器件,可作为微波、毫米波通讯系统以及雷 达系统的基本器件。背景技术业内周知,由ni族元素和v族元素所组成的半导体材料,即in-v族化合物半导体材料,如氮化镓(GaN)基、砷化镓(GaAs)基、磷化铟(InP)基等半导体材料,它们的禁带宽度 往往差异较大,因此人们通常利用这些III-V族化合物半导体材料形成各种异质结结构。 由于在异质结中异质结界面两侧...
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