技术编号:6906845
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别涉及。背景技术 可电读/写数字数据的半导体存储器分成EEPROM和快速存储器(下文称之为闪存),其中,EEPROM可用存储单元编程和擦除数据,闪存闪存可以只用一块单元擦除几十和几百个字节数据和用字节单元记录的数据。常规的EEPROM广泛用于通过使用小数据单元来重写数据。然而,常规的EEPROM单元包括一对晶体管。因此它占据较大的面积。结果,常规的EEPROM难以实现大的容量。此外,它的制造成本高。只包括一个晶体管的常规闪存的存储单...
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