技术编号:6910456
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种非易失性存储单元(non-volatile memory cell,NVMcell)及其制造方法,且特别是有关于一种自对准(self-aligned)双位非易失性存储器单元及其制造方法。背景技术 目前非易失性存储器已被广泛的应用作为储存数据之用。其中,一种能够依栅极绝缘层中的电荷载流子的存在与否,而在相同的电压下改变晶体管的开关状态的非易失性存储器,具有可储存电荷载流子的结构的栅极绝缘膜。其电荷载流子储存的结构可以是浮置栅极电极或氮化硅层。...
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