技术编号:6910690
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种内嵌式存储器逻辑电路,特别是有关于一种应用于内嵌式存储器逻辑电路的三维空间元件结构及其制作方法。但是,随着集成电路的集成度日益增加,在同一芯片上的存储装置与逻辑装置混合设置,其彼此间会因制程上和结构上的不同产生一高度落差值,造成插塞接触孔深宽比(aspect ratio)越来越大,无法符合目前内嵌式半导体存储器元件的需求。为实现上述目的,本发明提出一种应用于内嵌式存储器逻辑电路的三维空间元件的制作方法,其步骤包括,于一半导体硅基底材料上定义出...
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