技术编号:6914987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置,特别是,涉及把隧道磁阻效应器件(TMRTunneling Magneto Resistive)用作存储器件的磁存储装置(MRAMMagnetic Random Access Memory)。 背景技术 近年来,提出了作为信息存储器件,利用磁阻效应的MRAM(MRAMMagnetic Random Access Memory)的存储单元。期待着该MRAM今后向兼备非易失性、高集成度、高可靠性、高速工作的存储器发展。就磁阻效应器件...
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