技术编号:6914995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种制造在具有至少一个高压区和一个逻辑区的半导体电路中的非易失性存储器单元的方法。背景技术 为制造例如包括一个逻辑部分和一个高压部分的半导体电路中的埋入式或所谓的非易失性半导体存储器单元,在相应的电路部分或电路区域内要采用不同类型的晶体管,以满足不同的要求,这些要求有一部分甚至是对立的。例如晶体管在一个非易失性存储区内必须具有一个隧道层、一个电荷存储层、一个耦合层和一个控制层,以实现所谓的单晶体管或多晶体管存储单元。然而在逻辑部分...
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