技术编号:6915004
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更详细地说涉及在DRAM,和DRAM与逻辑电路的混合器件等中,可以高速动作和高度集成化的。背景技术 沟槽电容器和堆叠电容器作为DRAM的存储节点,是当今的主流,特别是沟槽电容器,大多作为适宜和逻辑电路混合的电容器使用。其原因是,可以在形成逻辑电路前形成电容器,对逻辑电路工序的影响少,以及因为电容器被埋设在硅衬底内,所以在配线工序中不需要如堆叠电容器那样深的触点工序。以下,对和本发明有关的沟槽电容器的构成,参照其制造方法说明。图19以及图20,是...
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