技术编号:6916008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置,具体地说,涉及MOS静态RAM的多个存储单元构造的组合。背景技术 以前,作为由端口构造等不同的多种存储单元组成的半导体存储装置,例如,有专利文献1所公开的半导体存储装置。该半导体存储装置,通过设置3端口同时可存取的3端口单元部和具有一个存取端口的1端口单元部,并使它们共同连接到至少一对位线来实现。特开平6-349275号公报[发明解决的问题]另一方面,计算机领域等中,要求将以比特长度单位存取的数据用几个比特单位来分割,以分割的几个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。