技术编号:6917406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及一种SOI(Silicon On Insulator绝缘体上的硅)结构的,特别是涉及其底面具有不到达埋入氧化膜的隔离绝缘膜(以下称为局部STI(Partial Shallow TrenchIsolation))的。具有由半导体衬底、埋入氧化膜和半导体层组成的SOI结构的半导体装置,因为用埋入氧化膜和其底面到达埋入氧化膜的元件隔离(以下称为全STI(Full Shallow Trench Isolation))包围有源区,所以即使形成CMOS晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。