技术编号:6917416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更确切地说涉及使用Ga原子对蓝宝石衬底进行清洗的预处理,以获取单原子层级平整度的蓝宝石衬底表面,从而提高在此基础上生长的GaN外延层表面的平整度。属于晶体外延生长领域。异质外延是目前获得GaN材料的主要生长技术,包括金属有机物气相淀积(MOCVD或MOVPE)、分子束外延(MBE)以及卤化物气相外延(HVPE)等。蓝宝石(Sapphire,α-Al2O3)是目前国际上异质外延生长GaN最广泛使用的衬底,其表面平整度的好坏直接影响外延层GaN的晶...
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