技术编号:6917431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备方法,以及在ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底上生长高质量GaN薄膜的方法。尽管两步生长工艺极大提高了GaN外延层的质量,但是氮化物缓冲层的生长影响了GaN制备的重复性,这主要表现为(1)氮化物缓冲层的淀积受到多种因素的影响,例如淀积温度、载气组分及镓源和氮源比率。在不同的淀积条件下,氮化物缓冲层可以为非晶、四方或六方结构;(2)缓冲层生长前α-Al2O3衬底表面的氮化和氮化物缓冲层厚度也对Ga...
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