技术编号：6920928
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种肖特基(Schottky)势垒二极管，并且具体地，本 发明涉及其反向击穿电压特性的补救措施。背景技术作为与高压开关元件(电力装置)有关的技术，例如，如在专利 文献1的图6A和6B中公开的，己知通过外延生长在蓝宝石衬底上形 成GaN层，并且然后在该外延生长层上形成具有台面结构或者平板结 构的肖特基势垒二极管。该文献的图1示出当外延生长层的掺杂浓度 降低时在理论上预期的GaN整流器的反向击穿电压特性。专利文献1日本专利申请特开(PCT申请的译文)...
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