技术编号:6920994
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沟槽栅型(trench gate)晶体管及其制造方法。 背景技术DMOS晶体管是双重扩散的MOS场效应型晶体管,作为电源电路或 驱动电路等的电力用半导体元件而被使用。作为DMOS晶体管的一种, 公知有沟槽栅型晶体管。该沟槽栅型晶体管如图48所示,在形成于半导体层212的沟槽214 内形成栅极氧化膜215,覆盖沟槽214内的栅极氧化膜215地形成了栅电 极216。另外,在沟槽214的侧壁的半导体层212的表面,通过垂直方向 的双重扩散,形成未图示的...
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