技术编号：6921957
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及优选用于制备在Si衬底上形成的电子器件用緩冲层的外延膜、使用该外延膜的压电元件和铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头。背景技术作为半导体单晶衬底的硅衬底具有优异的结晶性，并且能扩大衬 底的面积，以致该衬底适合作为制备电子器件的衬底，并用于通常的目的。在Si衬底上叠层并制备的电子器件的例子包括介电器件、压电 器件、铁电器件和热电器件。为了改善器件的晶体结构已对在Si衬底上形成的作为底层的緩冲层进行了研究。在緩冲层中，作为在与衬底的Si晶体晶格匹配...
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