技术编号:6921993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用等离子体CVD (Chemical Vapor Deposition化学气相沉淀)法形成作为非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层有用的 氮化硅膜的氮化硅膜的形成方法、以及利用该方法的非易失性半导体 存储装置的制造方法和非易失性半导体存储装置。背景技术现在,作为能够进行电改写的以EEPROM(Electrically Erasable and programmable ROM)等为代表的非易失性半导体存储装置,有称为 SONOS ( Silico...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。