专利名称：：氮化硅膜的形成方法、非易失性半导体存储装置的制造方法、非易失性半导体存储装置和...的制作方法
技术领域：
：本发明涉及利用等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition:化学气相沉淀)法形成作为非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层有用的氮化硅膜的氮化硅膜的形成方法、以及利用该方法的非易失性半导体存储装置的制造方法和非易失性半导体存储装置。
背景技术：
：现在，作为能够进行电改写的以EEPROM(ElectricallyErasableandprogrammableROM)等为代表的非易失性半导体存储装置，有称为SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型或MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型的叠层结构。在这些类型的非易失性半导体存储装置中，使被二氧化硅膜(Oxide)夹持的氮化硅膜(Nitride)作为电荷蓄积层进行信息的保持。即，在上述非易失性半导体存储装置中，通过在半导体基板(Silicon)和控制栅极电极(Silicon或Metal)之间施加电压，在电荷蓄积层的氮化硅膜中注入电子从而保存数据，或者除去蓄积在氮化硅膜中的电子而进行数据的保存和消去的改写。对于形成作为非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层的氮化硅膜的技术，在日本特开平5-145078号公报(专利文献1)中记载了一种氮化硅膜的形成方法，在隧道氧化膜与顶部氧化膜之间形成氮化硅膜时，将二氯硅烷(SiH2Cl2)和氨气(NH3)作为原料气体，在流量比SiH2CVNH3为1/10以下的条件下利用减压CVD法进行成膜。但是，随着近年来半导体装置的高集成化，非易失性半导体存储装置的元件结构的微细化也迅速发展。为了实现非易失性半导体存储装置的微细化，在各个非易失性半导体存储装置中，需要提高作为电荷蓄积层的氮化硅膜的电荷蓄积能力，提高数据保持性能。该氮化硅膜的电荷蓄积能力与膜中的作为电荷捕获中心的陷阱的密度相关。因此，作为提高非易失性半导体存储装置的数据保持性能的方法之一，6认为使用陷阱密度大的氮化硅膜作为电荷蓄积层的方法是有效的。但是，在现有的利用减压CVD或热CVD的成膜方法中，在氮化硅膜的形成过程中控制膜中的陷阱密度在技术上存在困难，不能形成具有所需要的陷阱密度的氮化硅膜。例如，在上述专利文献1中公开的氮化硅膜的形成方法中，由于不能直接控制氮化硅膜的陷阱密度，所以以增加氮化硅膜与顶部氧化膜之间的界面的陷阱密度为目的，在这些膜的中间部分设置含有大量Si的迁移层。而且，在专利文献1中，为了形成迁移层，采用按照复杂的顺序控制原料气体的供给时机的方法。具体而言，在专利文献1中公开的技术中，在氮化硅膜的成膜结束时，首先停止供给氨气，在残留的氨气消耗掉后，再停止供给二氯硅烷。然后，在形成顶部氧化膜时，首选仅供给氧化亚氮，在经过规定时间后，供给硅垸，开始顶部氧化膜的堆积。但是，如专利文献1所述采用控制原料气体的供给时机的方法，由于微小的时机的差异会导致膜质发生很大部变化，所以无论如何也不能以良好的重现性形成具有所希望的陷阱密度的氮化硅膜。
发明内容本发明的目的在于提供一种能够将形成的氮化硅膜的陷阱密度控制为所希望的大小的氮化硅膜的形成方法。本发明的另一目的在于提供一种数据保持性能优异的非易失性半导体存储装置，其具备电荷蓄积性能得到控制的氮化硅膜。根据本发明的第一观点，提供一种氮化硅膜的形成方法，其为利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在基板上堆积氮化硅膜的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括在等离子体处理装置的处理室内设置基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向上述处理室内导入微波；和控制上述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在基板上堆积氮化硅膜，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小为规定的值的工序。在本发明的第一观点中，使用氨气(NH3)作为上述含氮化合物，使用乙硅烷(Si2H6)作为上述含硅化合物，通过在1Pa1333Pa的范围内的处理压力下产生等离子体的条件的等离子体CVD，能够形成上述氮化硅膜。此时，上述原料气体中的上述氨气(NH3)与上述乙硅垸(Si2H6)的流量比(NH3流量/Si2H6流量)在0.11000的范围内。并且，使上述氮化硅膜的陷阱密度在其厚度方向分布在1X10175X1017cm—3eV—，范围内。在这种情况下，优选上述氮化硅膜的膜厚在120nm的范围内。此外，在上述第一观点中，使用氮气(N2)作为上述含氮化合物，使用乙硅烷(Si2H6)作为上述含硅化合物，通过在0.1Pa500Pa的范围内的处理压力下产生等离子体的条件的等离子体CVD，形成上述氮化硅膜。此时，上述原料气体中的上述氮气(N2)与上述乙硅垸(Si2H6)的流量比(N2流量/Si2H6流量)在0.15000的范围内。并且，在上述第一观点中，处理温度为30(TC60(TC的范围内的温度o根据本发明的第二观点，提供一种氮化硅膜的形成方法，其为利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在基板上堆积氮化硅膜的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括在等离子体处理装置的处理室内设置被处理体的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向上述处理室内导入微波；在上述等离子体处理装置中，利用第一条件的等离子体CVD在基板表面堆积第一陷阱密度的第一氮化硅膜的工序；和在上述等离子体处理装置中，利用与上述第一条件不同的第二条件的等离子体CVD，在上述第一氮化硅膜上堆积与上述第一陷阱密度不同的第二陷阱密度的第二氮化硅膜的工序。在上述第二观点中，上述第一氮化硅膜，使用氨气(NH3)作为上述含氮化合物，使用乙硅垸(Si2H6)作为上述含硅化合物，通过在1Pa1333Pa的范围内的处理压力下产生等离子体而形成，上述第二氮化硅膜，使用氮气(N2)作为上述含氮化合物，使用乙硅垸(Si2H6)作为上述含硅化合物，通过在0.1Pa500Pa的范围内的处理压力下产生等离子体而形成。并且，使上述第一氮化硅膜和上述第二氮化硅膜中的至少一个的陷阱密度在其厚度方向分布在1X10175X1017cm—3eV—1的范围内。在这种情况下，上述第一氮化硅膜和上述第二氮化硅膜中8的至少一个的膜厚在120nm的范围内。并且，交替进行堆积第一氮化硅膜的工序和堆积上述第二氮化硅膜的工序。根据本发明的第三观点，提供一种非易失性半导体存储装置的制造方法，其包括在半导体基板的沟道形成区域上形成包括作为具有电荷保持能力的电荷蓄积层的氮化硅膜的多个绝缘膜的叠层体的工序，和在该叠层体上形成栅极电极的工序，该制造方法的特征在于上述氮化硅膜通过利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在半导体基板上堆积的方法形成，该堆积方法包括在等离子体处理装置的处理室内设置半导体基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向上述处理室内导入微波；和控制上述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在半导体基板上堆积氮化硅膜，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小为规定的值的工序。根据本发明的第四观点，提供一种非易失性半导体存储装置，其包括在主面上具有沟道形成区域的半导体基板，在上述沟道形成区域上形成的、包括作为具有电荷保持能力的电荷蓄积层的氮化硅膜的多个绝缘膜的叠层体，和在该叠层体上形成的栅极电极，该装置的特征在于上述氮化硅膜通过利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在半导体基板上堆积的方法形成，该堆积方法包括在等离子体处理装置的处理室内设置半导体基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向上述处理室内导入微波；和控制上述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在半导体基板上堆积氮化硅膜的工序，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小为规定的值。根据本发明的第五观点，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具备处理室，其用于使用等离子体对被处理体进行处理；具有多个孔的平面天线，其用于向上述处理室内导入微波；气体供给机构，其用于向上述处理室内供给原料气体；排气机构，其用于对上述处理室内进行减压排气；温度调节机构，其用于调节上述被处理体的温度;和控制部，其用于控制上述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，使得利用通过上述平面天线导入上述处理室内的微波，使含有含9氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在半导体基板上堆积氮化硅膜，将堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小控制为规定的值。本发明的发明人等发现，通过使用利用具有多个孔的平面天线向处理室内导入微波的等离子体处理装置，变更等离子体CVD成膜的条件，能够控制形成的氮化硅膜的陷阱密度的大小。在本发明中，基于这种见解，控制上述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在基板上堆积氮化硅膜，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小为规定的值，所以能够形成具有所希望的陷阱密度的氮化硅膜。并且，如上上述形成的具有所希望的陷阱密度的氮化硅膜能够用作制作各种半导体装置时的绝缘膜，特别是通过用作非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层，能够实现具有优异的数据保持性能的非易失性半导体存储装置。并且，根据本发明，通过控制等离子体CVD的条件，叠层形成陷阱密度不同的氮化硅膜，能够在非易失性半导体存储装置中实现多样的能带工程，能够制作数据保持特性优异的非易失性半导体存储装置。此外，通过叠层形成这种具有不同陷阱密度的氮化硅膜，在单一的等离子体处理装置的腔室内，能够使陷阱密度不同的两层以上的氮化硅膜不暴露在大气状态中地进行成膜，能够实现有效的工艺设计。图1是示意性地表示适用于本发明的氮化硅膜的形成方法的实施的等离子体处理装置的一个示例的大致结构的剖面图。图2是表示图1的等离子体处理装置的平面天线的平面图。图3是表示图1的等离子体处理装置的控制部的结构的框图。图4是表示本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的大致顺序的流程图。图5是表示氮化硅膜(膜厚3nm)的PYS测定结果的图。图6是表示氮化硅膜(膜厚10nm)的PYS测定结果的图。图7是表示氮化硅膜和氢终端Si(100)面的PYS测定结果的图。图8是表示氮化硅膜的电子占有缺陷密度的深度方向分布的图。图9是表示通过XPS分析测定的氮化硅膜的化学组成分布的图。图10是表示通过LPCVD的试验分区I的氮化硅膜的电子占有缺陷的深度方向分布的图。图11是表示试验分区J的氮化硅膜的电子占有缺陷密度的深度方向分布的图。图12是表示通过LPCVD的试验分区I的氮化硅膜的XPS分析结果的图。图13是表示试验分区J的氮化硅膜的XPS分析结果的图。图14是表示本发明的一种实施方式的非易失性半导体存储装置的大致结构的剖面图。图15是表示利用本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。图16是表示利用本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。图17是表示利用本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。图18是表示利用本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。图19是表示利用本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。图20是表示利用本发明第一实施方式的氮化硅膜的形成方法的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。图21是表示本发明第二实施方式的氮化硅膜的形成方法的大致顺序的流程图。图22是表示本发明的其他实施方式的非易失性半导体存储装置的大致结构的说明图。图23是表示氮化硅膜的XPS分析结果的图。具体实施例方式下面，参照本发明优选的实施方式。<第一实施方式>图1是示意性地表示适用于本发明的氮化硅膜的形成方法实施的等离子体处理装置的一个示例的大致结构的剖面图，图2是表示图1的等离子体处理装置的平面天线的平面图，图3是表示图1的等离子体处理装置的控制部的结构的框图。该等离子体处理装置100构成为RLSA微波等离子体处理装置，在该装置中，利用具有多个狭缝状孔的作为平面天线的RLSA(RadialLineSlotAntenna:隙缝天线)向处理室内导入微波，产生等离子体，由此能够产生高密度且低电子温度的微波激发等离子体。在等离子体处理装置100中，能够利用具有1X10ie5X1012/cm3的等离子体密度、并且0.7X2eV的低电子温度的等离子体进行处理。因此，等离子体处理装置100能够适用于在各种半导体装置的制造过程中利用等离子体CVD的氮化硅膜的成膜处理。对于等离子体处理装置100，作为主要构成，具备气密地构成的腔室(处理室)1、向腔室1内供给气体的气体供给机构18、用于对腔室1内进行减压排气的排气装置24、设置在腔室1的上部用于向腔室1内导入微波的微波导入机构27、和用于控制等离子体处理装置100的各构成部的控制部50。腔室1为接地的大致为圆筒状的容器，具有例如由铝构成的底壁la和侧壁lb。其中，腔室1也可以为棱柱形状的容器。在腔室1的内部设置有用于水平地支承作为被处理体的硅晶片(以下简称为"晶片")W的载置台2。载置台2由热传导性高的陶瓷、例如由A1N构成。该载置台2由从排气室11的底部中央向上方延伸的圆筒状的支承部件3支承。支承部件3也由热传导性高的陶瓷、例如A1N构成。并且，在载置台2上，罩住其外缘部设置有用于引导晶片W的外罩环4。该外罩环4为例如由石英、A1N、A1203、SiN的任一材料构成的环状部件。并且，在载置台2中埋入有作为温度调节机构的电阻加热型的加热器5。该加热器5通过来自加热器电源5a的供电对载置台2进行加热，利用该热量对作为被处理基板的晶片W进行均匀加热。此外，在载置台2中设置有热电偶(TC)6。基于由该热电偶612检测出的温度，能够将晶片W控制在例如从室温到90(TC的范围内。此外在载置台2上具有用于支承晶片W使其升降的晶片支承销(未图示)。各晶片支承销以相对于载置台2的表面突出没入的方式设置。在腔室1的底壁la的大致中央部，形成有圆形的开口部10。在底壁la处设置有与该开口部10连通并向下方突出的排气室11。在该排气室11上连接有排气管12，经由该排气管12与排气装置24连接。在形成腔室1的侧壁lb的上端，配置有使腔室1开闭的具有作为盖体(lid:盖)的功能的环状的板13。板13的内周下部向内侧(腔室内空间)突出，形成环状的支承部13a。在板13上设置有作为第一气体导入部的呈环状的气体导入部14。并且，在腔室1的侧壁lb，设置有作为第二气体导入部的呈环状的气体导入部15。即，这些气体导入部14和15分上下两段设置。从气体供给机构18向气体导入部14和15供给规定的气体。其中，气体导入部14和15可以为喷嘴状或喷淋头状。并且，气体导入部14和气体导入部15也可以为单一的喷淋头。此外，在腔室1的侧壁lb，设置有用于在与等离子体处理装置100邻接的搬送室(未图示)之间进行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口16和用于开关该搬入搬出口16的闸阀17。气体供给机构18例如具有含氮气体(含N气体)供给源19a、含硅气体(含Si气体)供给源1%、惰性气体供给源19c和清洁气体源19d。含氮气体供给源19a与上段气体导入部14连接。并且，含硅气体供给源19b、惰性气体供给源19c和清洁气体供给源19d与下段的气体导入部15连接。其中，作为上述以外的未图示的气体供给源，气体供给机构18具有例如在对腔室内气氛进行置换时使用的吹扫气体供给源等。作为成膜原料气体的含氮气体，例如可以使用氮气(N2)、氨气(NH3)、MMH(单甲基肼)等肼衍生物等。并且，作为其他成膜原料气体的含硅气体，例如可以使用甲硅垸(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、TSA(三甲硅垸基胺)等。其中，特别优选乙硅垸(Si2H6)。此外，作为惰性气体，例如可以使用N2气体或稀有气体等。稀有气体是用于激发等离子体的气体，例如可以使用Ar气体、Kr气体、Xe气体、He气体等。此外，作为清洁气体，可以使用C1F3气体、NF3气体、HC1气体、Cl2气体等，其中NF3气体用于进行等离子体化。含氮气体从气体供给机构18的含氮气体供给源19a经由气体线路20到达气体导入部14，从气体导入部14导入腔室1内。另一方面，含硅气体和惰性性气体从含硅气体供给源19b和惰性性气体供给源19c分别经由气体线路20到达气体导入部15，从气体导入部15导入腔室1内。在与各气体供给源连接的各气体线路20上设置有质量流量控制器21和其前后的开关阀22。利用这种气体控制机构18的构成，能够实现供给的气体的切换和流量等的控制。其中，Ar等的用于等离子体激发的稀有气体可以为任意气体，不一定必须与成膜原料气体同时供给，但如果考虑到等离子体的生成稳定性，优选同时供给。排气装置24具备涡轮分子泵等高速真空泵。排气装置24经由排气管12与腔室1的排气室11连接。通过使该排气装置24动作，腔室1内的气体向排气室11的空间lla内均匀流动，并且从空间lla经由排气管12向外部排气。由此，能够将腔室l内高速地减压，例如减压至0.133Pa。下面，对微波导入机构27的构成进行说明。对于微波导入机构27，作为主要构成，具有透过板28、平面天线31、滞波件33、外罩34、波导管37和微波发生装置39。透过微波的透过板28由在板13的内侧设置为环状的支承面13a支承。在该透过板28和支承面13a之间，通过密封部件29气密地密封。由此，腔室l内保持气密。透过板28由电介质构成，例如由石英或八1203、A1N等陶瓷构成。平面天线31呈圆板状，在透过板28的上方，与载置台2相对设置。其中，平面天线31的形状并不限于圆板状，例如也可以为四边形板状。该平面天线31与板13的上端卡合。平面天线31例如由其表面镀金或镀银的铜板、镍板、不锈钢板或铝板构成。平面天线31具有用于放射微波的多个狭缝状的微波放射孔32。微波放射孔32以规定的图案贯通平面天线31形成。如图2所示，各个微波放射孔32为细长状的孔，邻接的两个微波14放射孔成对。并且，邻接的微波放射孔32例如配置为"T"字状。并且，这样组合配置为规定形状(例如T字状)的微波放射孔32进一步整体配置为同心圆状。微波放射孔32的长度和配列间隔根据微波的波长ag)决定。例如，微波放射孔32的间隔配置为Xg/4至入g。在图2中，形成为同心圆状的邻接的微波放射孔32的间隔用Ar表示。其中，微波放射孔32的形状也可以为圆形、圆弧形等其他形状。并且，微波放射孔32的配置方式没有特定限制，除同心圆状外，例如可以配置为螺旋状、放射状等。在平面天线31的上表面配置有具有大于真空的介电常数的滞波件33。由于微波在真空中的波长增长，该滞波件33具有縮短微波的波长、并调整等离子体的功能。并且，平面天线31与透过板28之间、以及滞波件33与平面天线31之间可以各自接触也可以离开，优选接触。在腔室1的上部，以覆盖这些平面天线31和滞波件33的方式设置有具有波导管功能的导电性的外罩34，该外罩34例如由铝或不锈钢、铜等金属材料构成。板13的上端和外罩34由密封部件35密封。在外罩34的内部形成有冷却水流路34a。通过在该冷却水流路34a中流通有冷却水，能够对外罩34、滞波件33、平面天线31和透过板28进行冷却。其中，外罩34接地。在外罩34的上壁(天井部)的中央形成有开口部36，在该开口部36上连接有波导管37。波导管37的另一端侧经由匹配回路38连接有产生微波的微波发生装置39。波导管37具有从上述外罩34的开口部36向上方延伸伸出的截面为圆形的同轴波导管37a、和利用模式转换器连接在该同轴波导管37a的上端部的在水平方向延伸的矩形波导管37b。内导体41在同轴波导管37a的中心延伸。该内导体41在其下端部连接固定在平面天线31的中心。通过这种结构，微波能够经由同轴波导管37a的内导体41以放射状有效且均匀地向导电性外罩34和平面天线31形成的扁平波导路传播。通过上述结构的微波导入机构27，在微波发生装置39中产生的微波经由波导管37向平面天线31传播，并且经由透过板28导入腔室1内。其中，作为微波的频率，例如优选使用2.45GHz，此外，也可以使用8.35GHz、1.98GHz等。等离子体处理装置100的各构成部为与控制部50连接并受其控制的构成。如图3所示，控制部50包括具备CPU的过程控制器51、与该过程控制器514连接的用户接口52和存储部53。过程控制器51为控制单元，一并控制等离子体处理装置100中的与压力、温度、气体流量等工艺条件相关的各构成部(例如，加热器电源5a、气体供给机构18、排气装置24、微波发生装置39等)。用户接口52具有工序管理者用于管理等离子体处理装置100而进行指令输入操作等的键盘、可视化显示等离子体处理装置100的运转状况的显示器等。存储部53中存储有用于利用过程控制器51的控制实现在等离子体处理装置100中实行的各种处理的控制程序(软件)或记录有处理条件等的方案。并且，根据需要，利用来自用户接口52的指示等从存储部53调出任意的方案，由过程控制器51执行，由此在过程控制器51的控制下，实行等离子体处理装置100中的所希望的处理。并且，上述控制程序或处理条件数据等方案可以以存储在计算机能够读取的存储介质例如CD-ROM、硬盘、软盘、闪存等中的状态而利用，或者也可以从其他装置例如通过专用回路随时传送在线利用。在这样构成的等离子体处理装置100中，能够进行在80(TC以下的低温下对基底膜等进行无损伤的等离子体CVD处理。并且，等离子体处理装置100的等离子体的均匀性优异，所以能够实现工艺的均匀性。在这样构成的RLSA方式的等离子体处理装置100中，例如按照图4的流程图所示的顺序，利用等离子体CVD法，进行在晶片W表面堆积氮化硅膜的处理。首先，打开闸阀17，从搬入搬出口16向腔室1内搬入晶片W，将其载置在载置台2上(步骤Sl)。接着，对腔室1内进行减压排气(步骤S2)。并且，在进行减压排气的同时，从气体供给机构18的含氮气体供给源19a和含硅气体供给源19b以规定的流量分别经由导入部14、15向腔室1内导入含氮气体和含硅气体(步骤S3)。这样一来，将腔16室1内调节为规定的压力。接着，经由匹配回路38向波导管37内导入在微波发生装置39中产生的规定频率例如2.45GHz的微波(步骤S4)。导入波导管37内的微波依次通过矩形波导管37b和同轴波导管37a，经由内导体41向平面天线31供给。目P，微波在同轴波导管37a内向平面天线31传播。并且，微波从平面天线31的狭缝状的微波放射孔32经由透过板28向腔室l内的晶片W的上方空间放射。此时的微波输出优选为，作为平面天线31的每lcm2的面积的功率密度，在0.414.19W/cm2的范围内。微波的输出可以根据目的例如从5005000W的范围内选择，以达到上述范围内的功率密度。利用从平面天线31经过透过板28放射至腔室1内的微波，在腔室1内形成电磁场，含氮气体、含硅气体分别等离子体化。该微波激发的等离子体，通过微波从平面天线31的多个微波辐射孔32放射，以大致lXl(^5X10力cn^的高密度，并且在晶片W附近，形成大致1.5eV以下的低电子密度。这样形成的微波激发高密度等离子体对基底膜的等离子体损伤很少。并且，原料气体在等离子体中发生解离，通过SipHq、SiHq、NHq、N(这里p、q表示任意的数，下同)等活性种的反应，堆积具有规定大小的陷阱密度的氮化硅膜SixN或氮化氧化硅SixC^Ny(这里，x、y、z不一定根据化学量论决定，可以根据条件而取不同的值，为任意的数)的薄膜。在本发明中，通过选择使用等离子体处理装置100的等离子体CVD成膜的条件，将形成的氮化硅膜的陷阱密度控制为所希望的大小。例如在减小形成的氮化硅膜中的陷阱密度的情况下(例如陷阱密度以面密度计在5X101()5X1012cm—2eV—1的范围内)，选择第一条件。在该第一条件下，优选使用氮气N2作为含氮气体，使用SbH6气体作为含硅气体。此时，从以均匀的膜厚形成Si密度低的氮化硅膜的观点出发，优选N2气体与SbH6气体的流量比(N2气体流量/Si2H6气体流量)在0.15000的范围内，更优选在1002000的范围内。具体而言，使N2气体的流量在105000mL/min(sccm)的范围内，优选在1002000mL/min(sccm)的范围内；使Si2H6气体的流量在0.5100mL/min(sccm)的范围内，优选在0.510mL/min(sccm)的范围内，设定为上述流量比。此外，在使用上述N2气体和Si2H6气体的第一条件下，为了形成具有小的陷阱密度的氮化硅膜，优选使处理压力为0.1500Pa，更优选为1100Pa。并且，优选使微波的功率密度在0.414.19W/cm2(平面天线31的每lcm"的面积)的范围内。此外，例如在增大形成的氮化硅膜中的陷阱密度的情况下(例如陷阱密度以面密度计在1X10"lX10"cm—2eV—1的范围内)，选择第二条件。在该第二条件下，优选使用NH3气体作为含氮气体，使用Si2H6气体作为含硅气体。此时，从以均匀的膜厚形成Si密度高的氮化硅膜的观点出发，优选NH3气体与Si2H6气体的流量比(NH3气体流量/Si2H6气体流量)在0.11000的范围内，更优选在100300的范围内。具体而言，使NH3气体的流量在105000mL/min(sccm)的范围内，优选在1002000mL/min(sccm)的范围内；使Si2H6气体的流量在0.5100mL/min(sccm)的范围内，优选在150mL/min(sccm)的范围内，设定为上述流量比。此外，在使用上述NH3气体和Si2H6气体的第二条件下，为了形成具有大的陷阱密度的氮化硅膜，优选使处理压力为11333Pa，更优选为50650Pa。并且，优选使微波的功率密度在0.414.19W/cm2(平面天线31的每lcm2的面积)的范围内。此外，通过等离子体处理装置100以上述第二条件进行CVD，能够形成在膜的厚度方向具有大致均等的陷阱密度分布的氮化硅膜。艮口，例如能够形成相当于硅的禁带中央的能量位置的陷阱的体积密度在膜的厚度方向在lX10175X1017cm—3eV—'的范围内分布、从与基底硅层的界面向表面侧上述陷阱的体积密度在lX10172X1017cm—3eV—'的范围内分布的氮化硅膜。此时，优选形成的氮化硅膜的膜厚在l20nm的范围内，更优选在315nm的范围内。其中，通过取上述陷阱的体积密度的2/3次方，能够换算成面密度。此外，在上述第一条件和第二条件的任一种情况下，对于等离子体CVD的处理温度，优选使载置台2的温度在300°C以上800°C以下，更优选加热至400600°C。此外，从以均匀的膜厚和膜质形成氮化硅膜的观点出发，优选将等离子体处理装置100中的间隙(从透过板28的下表面到载置台2的上表面的间隔)G设定为例如50500mm左右。然后，停止供给微波，结束氮化硅膜的形成(步骤S5)。接着，停18止从气体供给机构18供给气体(步骤S6)。然后，在氮化硅膜的堆积结束后，通过将形成有氮化硅膜的晶片W从腔室1内搬出，对1片晶片W的处理结束(步骤S7)。在利用使用等离子体处理装置100的等离子体CVD形成氮化硅膜时，通过在二氧化硅膜(Si02)膜上堆积氮化硅膜，能够进一步增大氮化硅膜的陷阱密度。因此，在本发明中，在基底层例如为由单晶硅构成的硅基板或多晶硅层的情况下，优选预先在基底层的表面形成Si02的薄膜。在这种情况下，Si02的薄膜可以是自然氧化膜，可以是热氧化膜，也可以是等离子体氧化膜。并且，也可以利用例如HPM(盐酸双氧水)、SPM(硫酸双氧水)这种具有氧化作用的药剂，对Si表面进行化学处理，预先形成化学氧化膜(ChemicalOxide)。作为预先在基底层的表面形成的SK)2薄膜的膜厚，例如优选为0.110nm，更优选为0.13nm。利用本实施方式的氮化硅膜的形成方法形成的氮化硅膜的陷阱密度，可以利用例如光电子收获率分光法(PhotoemissionYieldSpectroscopy:PYS)进行测定。PYS是对试样(氮化硅膜)照射一定能量的光，将通过光电效应放出的光电子的全部放出光电子量作为入射光的能量的函数进行测定的方法。通过该PYS测定，能够以非破坏的方式以高灵敏度测定氮化硅膜中以及氮化硅膜与硅层的界面的缺陷能级密度分布。由PYS测定的光电子收获率相当于电子占有状态密度分布的能量积分，所以能够利用S.Miyazaki等的方法(Microelectron.Eng.48(1999)63.)由微分PYS谱求出欠缺能级密度分布。下面，对于确认本发明效果的试验结果进行说明。使用等离子体处理装置100，改变条件在p型硅基板(10Qxm)上形成氮化硅膜。利用PYS对得到的氮化硅膜进行测定。关于PYS测定，使用紫外线灯，向各氮化硅膜照射紫外线，通过利用光电子增倍管测定放出的电子而进行。在本试验中，对于以下表1所示的试验分区AH进行实验。19[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>表1所示的等离子体CVD条件的内容如下所示。<等离子体CVD条件1:N2/SbH6气体系〉N2气体流量1200mL/min(sccm)Si2H6气体流量3mL/min(sccm)流量比(N2/Si2H6):400处理压力7.6Pa载置台2的温度500°C微波功率2000W微波功率密度1.67W/cm2(平面天线31的每lcn^的面积)〈等离子体CVD条件2:NH3/Si2H6气体系〉NH3气体流量800mL/min(sccm)8讽气体流量10mL/min(sccm)流量比(NH3/Si2H6):80处理压力126Pa载置台2的温度500°C微波功率2000W微波功率密度1.67W/cm2(平面天线31的每lcn^的面积)表1所示的前处理的内容如下所述。<DHF处理>在等离子体CVD之前，用1%的稀氢氟酸溶液对硅基板的表面进<HPM处理>在等离子体CVD之前，用1%的稀氢氟酸溶液对硅基板的表面进行处理，除去自然氧化膜。然后用10%HPM(盐酸双氧水)进行处理，形成作为化学氧化膜(ChemicalOxide膜)的Si02膜。图5和图6表示PYS测定的结果。图5中氮化硅膜的膜厚为3nm的结果，图6中氮化硅膜的膜厚为10nm的结果。与使用氮气作为原料气体在等离子体CVD条件1下形成的氮化硅膜(试验分区A、B、C、D)相比，使用氨气作为原料气体在等离子体CVD条件2下形成的氮化硅膜(试验分区E、F、G、H)的光电子收获率大，显示陷阱密度高。此外，对于由于等离子体CVD条件的差异而导致的缺陷能级密度的差，氮化硅膜的膜厚为3腦的情况(试验分区A、B、E、F)比为10nm(试验分区C、D、G、H)的情况表现得更显著。并且，如图5所示，对氮化硅膜的膜厚为3nm的试验分区E和F进行比较，即使等离子体CVD条件相同，通过进行HPM处理作为前处理，预先在硅基板的表面形成化学氧化物Si02层，能够得到具有大的缺陷能级密度的氮化硅膜。接着，对于使用等离子体处理装置100通过等离子体CVD形成的氮化硅膜，定量研究化学组成分布和缺陷能级密度分布，研究两者的关系。在p型硅基板(lOAcm)的Si(100)面上，进行HPM处理形成化学氧化物Si02层，然后以温度40(TC形成厚度为11.4nm的氮化硅膜。等离子体CVD的条件如下所示。<等离子体CVD条件3:NH3/Si2H6气体系〉NH3气体流量800mL/min(sccm)Si2H6气体流量16mL/min(sccm)流量比(NH3/Si2H6):50处理压力126Pa载置台2的温度400°C微波功率2000W微波功率密度1.67W/cm2(平面天线31的每lci^的面积)用稀氢氟酸对形成的氮化硅膜进行蚀刻处理，使其薄膜化，在各蚀刻过程中进行PYS测定和X射线光电子分光(XPS)测定。图7表示对制作的氮化硅膜[SiNx/Si(100)]和进行60秒蚀刻后的氢终端Si(100)[H—p+Si(100)]进行PYS测定。根据该图7显示，在氮化硅膜[SiNx/Si(100)]中，在相当于Si带隙的能量区域存在着电子占有缺陷(陷阱)，所以在低于Si价电子带上端(Ev)的能量区域(〈5.15eV)，来自氮化硅膜的光电子收获率显著高于氢终端Si(100)。此外，图8表示由各蚀刻过程中的光电子收获率的变化量估算电子占有缺陷的深度方向的分布的结果。如该图8所示，可以确认在比Si价电子带上端(Ev)浅0.28eV的能量位置(E—Ev=0.28eV)的电子占有缺陷密度，在Si基板界面附近最大(6.0X1018cm—3eV—')，在距Si基板界面4nm左右的区域最小(3.2X1017cm—3eV—')。并且，在相当于硅的禁带中央的能量位置(E—Ev=0.56eV)，Si界面附近的电子占有缺陷密度分布显著降低，而在氮化硅膜中，得到与价电子带侧相同的电子占有缺陷密度分布。图9表示通过XPS分析测定的氮化硅膜的化学组成分布图。在图9中，可知氮化硅膜的表面附近的区域和距离Si基板界面厚度约3nm以内的区域，氧原子显著地向氮化硅膜中扩散、混入。可以认为表面侧的氧化缘于自然氧化，Si基板界面侧则缘于化学氧化物Si02层与氮化硅膜的界面反应。将图8中的相当于硅的禁带中央的能量位置(E—Ev=0.56eV)的结果与图9所示的通过XPS测定的氮化硅膜的化学组成分布图进行比较，在距离Si基板界面约2nm附近，电子占有缺陷局部增大的区域相当于化学氧化物Si02层与氮化硅膜的界面附近。由此可知，使用等离子体处理装置100，在通过等离子体CVD条件3成膜的氮化硅膜中，在氧原子扩散、混入的化学氧化物Si02层与氮化硅膜的界面附近，膜中的电子占有缺陷密度显著增大。下面，对于在不同的条件下形成的两种氮化硅膜(试验分区I和J)，在图10和图11中表示相当于硅的禁带中央的能量位置的电子占有缺陷在深度方向的分布的测定结果。此外，在图12和图13中表示通过XPS分析测定试验分区I和J的氮化硅膜的化学组成分布图的结果。试验分区I(比较例)是通过下述条件的LPCVD(LowPressureChemicalVaporDeposition)形成的膜厚为13nm的氮化硅膜；分区J是使用等离子体处理装置100以上述等离子体CVD条件2形成的膜厚为4.1nm的氮化硅膜。在试验分区I和试验分区J中，均在Si(100)面上通过上述条件的HPM处理形成膜厚为3nm的化学氧化物Si02层，并在其上进行CVD。<LPCVD条件>SiH2Cl2气体流量10mL/min(seem)NH3气体流量1000mL/min(seem)流量比(NH3/SiH2Cl2):100处理压力133Pa载置台2的温度800°C在图10中对于通过LPCVD成膜的试验分区I(比较例)的氮化硅膜，表示相当于硅的禁带中央的能量位置(E_Ev=0.56eV)和比Si价电子带上端(Ev)浅0.84eV的能量位置(E—Ev=0.84eV)的电子占有缺陷的体积密度。由该图10可知，对于通过LPCVD成膜的试验分区I的氮化硅膜，在距离Si(100)界面约10nm的膜厚的范围，在相当于硅的禁带中央的能量位置(E—Ev二0.56eV)的电子占有缺陷密度大致为lX1017cm—3eV—'以下。艮卩，对于试验分区I的氮化硅膜，电子占有缺陷密度整体降低，可能导致容易发生电荷的脱离。另一方面，在使用氨气和乙硅烷作为原料气体在等离子体CVD条件2下成膜的作为本发明范围的试验分区J中，由图ll可以确认，电子占有缺陷在膜厚方向大致均匀分布，其绝对值也大于试验分区I。即，对于试验分区J的氮化硅膜，在相当于硅的禁带中央的能量位置的电子占有缺陷密度在其厚度方向在lX10175X1017cm—3eV—'的范围内大致均等地分布。这样，对于膜的厚度方向上均等且具有大的绝对值的陷阱密度的试验分区J的氮化硅膜，注入的电荷保持在膜的中央部分，所以不容易发生电荷的脱离，电荷蓄积能力高。因此，通过使用这种控制电子占有缺陷在膜厚方向均匀的氮化硅膜作为SONOS(MONOS)结构的半导体存储装置的电荷蓄积层，能够期待优异的电荷蓄积能力。并且，如图11所示，试验分区J的氮化硅膜具有4nm的厚度，除去界面附近区域和容易被氧化的表面区域，在从Si基板界面向表面侧厚度lnm3nm的范围，相当于硅的禁带中央的能量位置的电子占有缺陷密度分布在lX10175X1017cm_3eV—'的窄的范围。艮卩，能够在氮化硅膜中形成具有非常均匀的陷阱密度分布的部分，即使在这种膜厚薄的情况下，也能够发挥足够高的电荷蓄积能力。因此，通过使用这种电子占有缺陷在厚度方向上均匀的氮化硅膜，能够充分对应于半导体存储装置的可靠性和微细化。其中，这种在厚度方向陷阱密度均匀分布的氮化硅膜在厚度120nm的范围内能够发挥良好的电荷蓄积能力。另外，由图12所示的化学组成分布图可知，在试验分区I(比较例)的氮化硅膜中，膜中的氧浓度在Si(100)界面附近和表面附近高，而在膜中央附近几乎不存在氧。另一方面，由图13所示的化学组成分布图可知，在试验分区J的氮化硅膜中，在膜中央附近存在接近20原子％的氧。根据图10图13的比较可以判断，着眼于氮化硅膜中的氧在膜厚方向的分布，在存在氧的区域电子占有缺陷密度增大，另一方面，即使氧超过20原子％，电子占有缺陷密度也不会与氧的增加成比例地增加，为最大值。因此，推测在氮化硅膜中在进行利用2价的氧原子置换3价的氮原子的反应的过程中生成的悬挂键与氮化硅膜中存在的电子占有缺陷相关。如上所述，使用等离子体处理装置100，选择等离子体CVD条件而形成的氮化硅膜是电子占有缺陷密度得到高精度控制的膜，在膜的厚度方向具有均等的陷阱密度。下面，对于将本实施方式的氮化硅膜的形成方法应用于制造半导体装置的例子进行说明。在此，作为半导体装置，以n沟道型非易失性半导体存储装置为例进行说明。图14是表示本发明的一个实施方式所谓非易失性半导体存储装置200的截面结构的说明图。图15至图20是用于说明本实施方式的非易失性半导体存储装置的制造工序的工序剖面图。如图14所示，非易失性半导体存储装置200例如具有在p型硅基板(Si基板)201上从下开始依次形成有隧道氧化膜205、氮化硅膜207、24氧化硅膜209和电极211的元件结构S。隧道氧化膜205例如由具有0.110nm左右膜厚的&02膜或SiNO膜构成。氮化硅膜207作为电荷蓄积层发挥作用，所以例如由150nm左右膜厚的SiN膜或SiNO膜构成。并且，也可以设置2层以上的氮化硅膜作为电荷蓄积层。氧化硅膜209是例如通过CVD法形成的Si02膜，在电极211与氮化硅膜207之间作为阻隔(阻挡)层发挥作用。该氧化硅膜209例如具有0.150nm左右膜厚。电极211例如由通过CVD法形成的多晶硅膜构成，作为控制栅极(CG)电极发挥作用。并且。电极211也可以为例如含有钨、钛、钽、铜、铝、金这样的金属的膜。电极211例如具有0.150nm左右膜厚。电极211不限于单层机构，以降低电极211的比电阻、实现高速化为目的，可以形成为例如含有钨、钼、钽、钛以及它们的硅化物、氮化物、合金等的叠层结构。该电极211与未图示的配线层连接。并且，非易失性半导体存储装置200可以在半导体基板内的p晶片或p型硅层上形成。此外，在Si基板201的表面，形成有元件分离膜203，通过该元件分离膜203，划分形成非易失性半导体存储装置200的有源区域A。在Si基板201的原件结构S周围的区域，形成有源极区域212和漏极区域214。在有源区域A内，夹在源极区域212和漏极区域214之间的部分成为非易失性半导体存储装置200的沟道形成区域216。并且，在元件结构S的两侧部形成有侧壁218。对于上述结构的非易失性半导体存储装置200的动作例进行说明。首先，在数据写入时，以Si基板201的电位为基准，将源极区域212和漏极区域214保持在0V，向电极211施加规定的正电压。此时，在沟道形成区域216蓄积电子，形成反转层，由于隧道效应，该反转层内的电子的一部分通过隧道氧化膜205移动至氮化硅膜207。移动至氮化硅膜207的电子被形成于氮化硅膜207内的作为电荷陷阱中心的陷阱所捕获，进行数据的蓄积。在数据读出时，以Si基板201的电位为基准，使源极区域212或漏极区域214的任意一个为0V，向另一个施加规定的电压。并且，也向电极211施加规定的电压。通过这样施加电压，对应于蓄积在氮化25硅膜207内的电子的有无、蓄积的电子的量，沟道的电流量和漏极电压发生变化。因此，能够通过检测出该沟道电流或漏极电压的变化，向外部读出存储数据。在数据消去时，以Si基板201的电位为基准，使源极区域212和漏极区域214两者均为0V，向电极211施加规定大小的负电压。通过施加这样的电压，保持在氮化硅膜207内的电子通过隧道氧化膜205取出至沟道形成区域216。由此，非易失性存储装置200恢复到氮化硅膜207内的电子蓄积量低的消去状态。在制造这种非易失性半导体存储装置200时，首先，如图15所示，釆用例如LOCOS(LocalOxidationofSilicon)法或STI(ShallowTenchIsolation)法等方法在Si基板201上形成元件分离膜203。并且，为了调整非易失性半导体存储装置200的阈值电压，采用离子注入等方法进行杂质的掺杂。接着，例如通过热氧化法在Si基板201的有源区域A的表面形成氧化硅膜。由此，如图16所示形成隧道氧化膜205。并且，可以根据需要对氧化硅膜表面进行氮化处理得到氧氮化硅膜(SiON膜)。然后，如图17所示，通过等离子体CVD法，在隧道氧化膜205上形成作为电荷蓄积层的氮化硅膜207。在该氮化硅膜的形成工序中，如上所述，使用图1所示的等离子体处理装置100，在规定的等离子体CVD条件下进行成膜处理，能够将陷阱密度的大小控制在所希望的范围内。接着，如图18所示，在氮化硅膜207上形成氧化硅膜209。该氧化硅膜209伊i如采用热氧化法或CVD法形成。并且，如图19所示，使聚硅层或金属层、或者金属硅化物层等堆积在氧化硅膜209上，形成电极膜211a。该电极膜211a例如将硅垸类气体作为原料通过CVD法形成。然后，使用光刻技术，将形成有图案的抗蚀剂作为掩模，通过对电极膜211a、氧化硅膜209、氮化硅膜207和隧道氧化膜205进行蚀刻，如图20所示，得到形成有图案的电极211、氧化硅膜209和氮化硅膜207的叠层结构。接着，经由隧道氧化膜205以低浓度在有源区域A的硅表面离子注入n型杂质，形成杂质区域(n沟道)。并且形成侧壁218。接着，在有源区域A的硅上以高浓度离子注入n型杂质，形成源极区域212和漏极区域214。这样操作能够制造图14所示结构的非易失性半导体存储装置200。在以上说明中，举出了n沟道型非易失性半导体存储装置200的例子，但在p沟道型半导体存储装置的情况下，将杂质导电型反过来即可。如上所述，能够本实施方式，通过使用等离子体处理装置100，选择等离子体CVD条件进行成膜，能够以高精度控制氮化硅膜的陷阱密度，形成所希望的陷阱密度分布，例如在膜厚方向形成均匀的陷阱密度。此外，本实施方式中通过氮化硅膜的形成方法形成的氮化硅膜具有制作各种半导体装置时作为绝缘膜优异的特性，特别适合作为非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层。<第二实施方式>下面，参照图21和图22说明本发明的第二实施方式。图21是表示本实施方式的氮化硅膜的形成方法的顺序的一例的说明图。采用本实施方式的氮化硅膜的形成方法，通过使用等离子体处理装置100，改变等离子体CVD的条件进行成膜，叠层形成具有不同大小的陷阱密度的两层以上的氮化硅膜。如图21所示，首先，打开等离子体处理装置的闸阀17，从搬入搬出口16向等离子体处理装置100的腔室1内搬入晶片W，将其载置在载置台2上(步骤Sll)。接着，使排气装置24动作，对腔室l内进行减压排气(步骤S12)。并且，在对腔室l内进行减压排气的同时，从气体供给机构18的含氮气体供给源19a和含硅气体供给源19b以规定的流量分别向腔室l内导入含氮气体和含硅气体(步骤S13)。这样一来，将腔室l内调节为规定的压力。接着，经由平面天线31向腔室1内的晶片W的上方空间放射在微波发生装置39中产生的规定频率例如2.45GHz的微波，生成等离子体(步骤S14)。原料气体在等离子体中发生解离，通过SipHq、SiHq、NHq、N等活性种的反应，堆积氮化硅膜SixNy的薄膜。在步骤S13和S14中，将气体种类、压力、微波功率等设定为规定的条件(第一实施27方式中记载的条件)，进行等离子体CVD。然后，停止供给微波，结束氮化硅膜的形成(步骤S15)。接着，停止从气体供给机构18供给气体(步骤S16)。然后，例如通过向腔室1内导入规定时间的氮气等吹扫气体，对腔室l内进行调整(步骤S17)。其中，该步骤S17的调整工序不是必需工序。在本实施方式的氮化硅膜的形成方法中，在步骤S16(或步骤S17)之后，再以不同的等离子体CVD条件(第一实施方式中记载的条件)形成氮化硅膜。即，在步骤S17(或步骤S16)的工序结束后，再次回到步骤S13，向腔室内导入成膜原料气体，将腔室内调整为规定的压力，并且，与上述同样，按照步骤S14步骤S17(或步骤S16)的顺序进行等离子体CVD。但是，在第二次成膜处理中，改变原料气体种类、设定压力等，在与第一次成膜处理不同的条件下进行等离子体CVD。由此在第一次成膜处理和第二次成膜处理中，叠层形成分别具有不同陷阱密度的氮化硅膜。此外，也可以通过交替地进行它们的成膜，交替地堆积具有不同的陷阱密度的多个氮化硅膜。此外，在本实施方式中，根据需要，可以同上地反复进行3次以上的从步骤S13到步骤S17(或步骤S16)的工序。这样，通过反复进行不同等离子体CVD条件下的成膜，可以依次堆积具有不同陷阱密度的氮化硅膜。并且，在所有的成膜处理结束后的阶段，在步骤S18中，将形成有氮化硅膜的晶片W从腔室1内搬出，从而对一片晶片W的处理结束。在本实施方式中，能够通过选择与第一实施方式的等离子体CVD条件同样的条件，控制在各成膜工序中形成的氮化硅膜中的陷阱密度的大小。S卩，在形成陷阱密度大的氮化硅膜的情况下，或者在形成陷阱密度小的氮化硅膜的情况下，能够分别在与第一实施方式所示的等离子体CVD条件相同的条件下进行。在本实施方式中，能够将如上所述形成的两层以上的氮化硅膜用作例如非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层。具体而言，根据本实施方式的氮化硅膜的形成方法，例如如图22所示，能够制造叠层有陷阱密度小的第一氮化硅膜207a、陷阱密度大的第二氮化硅膜207b和陷阱密度小的第三氮化硅膜207c的结构的非易失性存储装置200a。其中，作为图22所示的非易失性半导体存储装置200a的其他结构，与图14所示的非易失性半导体存储装置200相同，所以对相同构成标注相同的符号，省略说明。此外，在图22所示的非易失性半导体存储装置200a中，作为电荷蓄积层，虽然具有第一氮化硅膜207a、第二氮化硅膜207b和第三氮化硅膜207c三层氮化硅膜的结构，但是，通过反复进行利用等离子体CVD的成膜，也能够形成叠层有四层以上氮化硅膜的结构的电荷蓄积层。如上所述，根据本实施方式的氮化硅膜的形成方法，通过叠层形成陷阱密度不同的氮化硅膜，能够在非易失性半导体存储装置中实现多样的能带工程，能够制作数据保持特性优异的非易失性半导体存储装置。此外，在本实施方式中，能够在单一的等离子体处理装置100的腔室1内，不暴露在大气状态中地形成陷阱密度不同的两层以上的氮化硅膜，所以能够实现有效的工艺设计。本实施方式的其他结构、作用和效果与第一实施方式相同。<第三实施方式>在上述第二实施方式中，改变氮化硅膜中的陷阱密度的大小，形成多个氮化硅膜，但也可以代替陷阱密度，形成膜中的硅浓度不同的氮化硅膜。在第三实施方式的氮化硅膜的形成方法中，使用等离子体处理装置IOO，改变等离子体CVD条件，交替形成Si浓度高的氮化硅膜和Si浓度低的氮化硅膜。第二实施方式的图21的流程路所示的工序顺序可以直接应用于本实施方式。图23是使用等离子体处理装置100，在Si基板上进行等离子体CVD而成膜的氮化硅膜的XPS分析结果。图23的横轴表示利用椭圆偏振计测定的氮化硅膜的深度，纵轴表示氮化硅膜中的N浓度与Si浓度之比(N浓度/Si浓度)。该试验中的等离子体CVD条件如下所述。〈等离子体CVD条件4:低Si浓度条件〉NH3气体流量800mL/min(sccm)8讽气体流量10mL/min(sccm)处理压力126Pa载置台2的温度500°C微波功率2000W29微波功率密度1.67W/cm2(平面天线31的每lcn^的面积)〈等离子体CVD条件5:高Si浓度条件〉NH3气体流量800mL/min(sccm)S"H6气体流量16mL/min(sccm)处理压力300Pa载置台2的温度500°C微波功率2000W微波功率密度1.67W/cm2(平面天线31的每lcn^的面积)由图23可知，与在等离子体CVD条件4下形成的氮化硅膜相比，在等离子体CVD条件5下形成的氮化硅膜的膜中的N浓度与Si浓度之比(N浓度/Si浓度)小，相对看来Si浓度高，这样，在使用等离子体处理装置100形成氮化硅膜时，通过改变等离子体处理条件，能够将膜中的Si浓度控制为所希望的值。在提高形成的氮化硅膜的Si浓度的情况下(例如Si浓度在3080原子％的范围内，优选在4070原子％的范围内)，可以在以下的条件下进行等离子体CVD。对于原料气体，使用NH3气体作为含氮气体，使用Si2H6气体作为含硅气体。将NH3气体的流量设定在105000mL/min(sccm)的范围内，优选在1001000mL/min(sccm)的范围内；将Si2H6气体的流量设定在1100mL/min(sccm)的范围内，优选在520mL/min(sccm)的范围内。此时，从以均匀的膜厚形成Si密度高的氮化硅膜的观点出发，NH3气体与Si2H6的流量比(NH3气体流量/Si2H6气体流量)优选在0.11000的范围内，更优选在10300的范围内。此外，处理压力优选为11333Pa，更优选为50650Pa。此外，在形成Si浓度低的氮化硅膜情况下(例如Si浓度在1050原子％的范围内，优选在1045原子％的范围内)，调节上述提高Si浓度时的条件中的原料气体的种类、流量和流量比、处理压力等即可。并且，在上述任一种情况下，对于等离子体CVD的处理温度，优选使载置台2的温度在30(TC以上，更优选加热至400600"C。此夕卜，从以均匀的膜厚和良好的膜质形成氮化硅膜的观点出发，优选将等离子体处理装置100中的间隙(从透过板28的下表面到载置台2的上表面的间隔)G设定为例如50500mm左右。如上所述，采用本实施方式的氮化硅膜的形成方法，能够通过改变等离子体CVD条件反复进行氮化硅膜的成膜处理(参照图21)，交替叠层形成Si浓度不同的氮化硅膜。这样形成的两层以上的氮化硅膜可用作例如非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层。例如借用第二实施方式中图22所示的非易失性半导体存储装置202a进行说明，能够制造作为电荷蓄积层，叠层有Si浓度低的第一氮化硅膜207a、Si浓度高的第二氮化硅膜207b和Si浓度低的第三氮化硅膜207c的结构的非易失性存储装置200a。当然也可以通过反复进行利用等离子体CVD的成膜，形成叠层有四层以上氮化硅膜的结构的电荷蓄积层。如上所述，根据本实施方式的氮化硅膜的形成方法，通过叠层形成Si浓度不同的氮化硅膜，能够在非易失性半导体存储装置中实现多样的能带工程，能够制作数据保持特性优异的非易失性半导体存储装置。此外，在本实施方式中，能够在单一的等离子体处理装置100的腔室l内，不暴露在大气状态中地交替形成Si浓度不同的两层以上的氮化硅膜，所以能够实现有效的工艺设计。本实施方式的其他结构、作用和效果与第一实施方式和第二实施方式相同。其中，本发明不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，以将本发明的氮化硅膜的形成方法应用于非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层的形成、提高电荷保持性能的情况为例进行了说明，但本发明的氮化硅膜的形成方法不限于非易失性半导体存储装置，也适用于各种半导体装置的制造。并且，在制造非易失性半导体存储装置等半导体装置的情况下，通过在不暴露在大气中的状态下通过真空连接包括等离子体处理装置IOO在内的多个成膜装置，能够在各成膜装置中依次形成目的膜。3权利要求1.一种氮化硅膜的形成方法，其为利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在基板上堆积氮化硅膜的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括在等离子体处理装置的处理室内设置基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向所述处理室内导入微波；和控制所述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在基板上堆积氮化硅膜，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小被控制为规定的值的工序。2.如权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于使用氨气(NH3)作为所述含氮化合物，使用乙硅烷(Si2H6)作为所述含硅化合物，通过在1Pa1333Pa的范围内的处理压力下产生等离子体的条件的等离子体CVD，形成所述氮化硅膜。3.如权利要求2所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于所述原料气体中的所述氨气(NH3)与所述乙硅烷(Si2H6)的流量比(NH3流量/SbH6流量)在0.11000的范围内。4.如权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于使所述氮化硅膜的陷阱密度在其厚度方向在lX10175X1017cm—3eV—'的范围内分布。5.如权利要求4所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于所述氮化硅膜的膜厚在120nm的范围内。6.如权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于使用氮气(N2)作为所述含氮化合物，使用乙硅垸(Si2H6)作为所述含硅化合物，通过在0.1Pa500Pa的范围内的处理压力下产生等离子体的条件的等离子体CVD，形成所述氮化硅膜。7.如权利要求6所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于所述原料气体中的所述氮气(N2)与所述乙硅烷(Si2H6)的流量比(N2流量/SbH6流量)在0.15000的范围内。8.如权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于利用所述等离子体CVD堆积氮化硅膜时的处理温度为300°C60(TC的范围内的温度。9.一种氮化硅膜的形成方法，其为利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在基板上堆积氮化硅膜的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括在等离子体处理装置的处理室内设置基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向所述处理室内导入微波；在所述等离子体处理装置中，利用第一条件的等离子体CVD在基板表面堆积第一陷阱密度的第一氮化硅膜的工序；和在所述等离子体处理装置中，利用与所述第一条件不同的第二条件的等离子体CVD，在所述第一氮化硅膜上堆积与所述第一陷阱密度不同的第二陷阱密度的第二氮化硅膜的工序。10.如权利要求9所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于所述第一氮化硅膜，使用氨气(NH3)作为所述含氮化合物，使用乙硅烷(Si2H6)作为所述含硅化合物，通过在1Pa1333Pa的范围内的处理压力下产生等离子体而形成，所述第二氮化硅膜，使用氮气(N2)作为所述含氮化合物，使用乙硅烷(Si2H6)作为所述含硅化合物，通过在0.1Pa500Pa的范围内的处理压力下产生等离子体而形成。11.如权利要求9所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于.-使所述第一氮化硅膜和所述第二氮化硅膜中的至少一方的陷阱密度在其厚度方向在lX10175X1017cm—3eV—1的范围内分布。12.如权利要求ll所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于所述第一氮化硅膜和所述第二氮化硅膜中的至少一方的膜厚在l20nm的范围内。13.如权利要求9所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于交替进行堆积第一氮化硅膜的工序和堆积所述第二氮化硅膜的工序。14.一种非易失性半导体存储装置的制造方法，其包括在半导体基板的沟道形成区域上形成包括氮化硅膜的多个绝缘膜的叠层体的工序，其中所述氮化硅膜作为具有电荷保持能力的电荷蓄积层；和在该叠层体上形成栅极电极的工序，该制造方法的特征在于所述氮化硅膜通过利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在半导体基板上堆积的方法形成，该堆积方法包括在等离子体处理装置的处理室内设置半导体基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向所述处理室内导入微波；和控制所述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在半导体基板上堆积氮化硅膜，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小被控制为规定的值的工序。15.—种非易失性半导体存储装置，其包括在主面上具有沟道形成区域的半导体基板；在所述沟道形成区域上形成的、包括氮化硅膜的多个绝缘膜的叠层体，其中所述氮化硅膜作为具有电荷保持能力的电荷蓄积层；和在该叠层体上形成的栅极电极，该装置的特征在于所述氮化硅膜通过利用微波使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在半导体基板上堆积的方法形成，该堆积方法包括在等离子体处理装置的处理室内设置半导体基板的工序，其中，该等离子体处理装置利用具有多个孔的平面天线向所述处理室内导入微波；和控制所述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，在半导体基板上堆积氮化硅膜的工序，使得堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小为规定的值。16.—种等离子体处理装置，其特征在于，具备处理室，其用于使用等离子体对被处理体进行处理；具有多个孔的平面天线，其用于向所述处理室内导入微波；气体供给机构，其用于向所述处理室内供给原料气体；排气机构，其用于对所述处理室内进行减压排气；温度调节机构，其用于调节所述被处理体的温度；和控制部，其用于控制所述等离子体处理装置中的等离子体CVD的条件，使得利用通过所述平面天线导入所述处理室内的微波，使含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体等离子体化，通过使用该等离子体的等离子体CVD在半导体基板上堆积氮化硅膜，将堆积的氮化硅膜的陷阱密度的大小控制为规定的值。全文摘要本发明使用等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体，利用微波产生等离子体，通过该等离子体在被处理体表面堆积氮化硅膜。其中，该等离子体处理装置(100)利用具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波。通过调节该等离子体CVD工序的条件，控制氮化硅膜的陷阱密度的大小。文档编号H01L21/318GK101652843SQ200880010178公开日2010年2月17日申请日期2008年3月25日优先权日2007年3月26日发明者中西敏雄,广田良浩,西田辰夫,鸿野真之申请人:东京毅力科创株式会社