技术编号:6922062
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置及其操作方法,特别涉及一种单层多晶硅(single-poly)可电擦除可编程只读存储器(Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory,以下简称为EEPROM),其具有耗电低、写入/擦除效率高、可重复写入以及密度高等诸多优点。本发明的单层多晶硅EEPROM特别可兼容于标准CMOS工艺。此外,本发明的单层多晶硅EEPROM利用沟道热电子注入(channel hot electr...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。