技术编号：6922387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器件。本发明尤其涉及包括夹在电极对之间的硫系材料的非易失性存储器件，该非易失性存储器件通过电阻开关技术来存储信息。 背景技术非易失性存储器件的当前市场由闪速存储器件为主。这些器件将信息存储在存储 单元阵列中，每个存储单元都包括浮栅晶体管。随着闪速存储器件的存储密度的增加，器 件的单个存储单元的尺寸降低。会预料到由于基本物理限制，闪速存储器件将会面临超越 45nm工艺节点的縮放比例问题。闪速存储器件的写速度和持续时间也会受到设计局限的限...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。