技术编号:6922596
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离背景技术本发明涉及在半导体器件生产过程中穿过硬掩模刻蚀硅层。更准确地说,本发明涉及打开硬掩模之后光刻胶的原地剥离。 在半导体晶片处理过程中,该半导体器件的特征可以是由图案化的硬掩模限定 的。使用光刻胶并通过对该硬掩模的等离子体刻蚀,可以将该半导体器件特征转移到该硬 掩模中。在特征被转移到该硬掩模中之后,该硬掩模上剩余的光刻胶可以被除去。 传统上,使用独立的设备来打开该硬掩模以及除去该光刻胶。在打开该硬掩模之 ...
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