技术编号：6922815
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及绝缘体上半导体型结构的制造方法，所述制造方法用于 将数据存储在该结构中。背景技术闪存的制造基于在沟道与栅极之间具有植入栅氧中的浮动栅极的MOS (金属氧化物半导体)器件的使用。通过在浮动栅极中俘获电子来 存储数据，浮动栅极起到存储器元件的作用。存储器的原理包括根据所存储的数据修改晶体管的电流-电压特性。数据存储包括将电荷储存在浮动栅极中，或者如果适用，储存在节 点中。这些电荷引起如图1中箭头所表示的电流-电压曲线的平移。通过 观察读出电压处的电流...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。