技术编号：6923417

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本发明涉及抛光组合物以及使用其抛光基材的方法。更具体而言，本发明涉及适于抛光含有相变材料(如锗-锑-碲合金)的基材的化学-机械抛光组合物。 背景技术PRAM(相变随机存取存储器)器件(也称为双向存储器件或PCRAM器件)使用可在 绝缘的非晶相与导电的晶相之间进行电切换以用于电子存储器应用的相变材料(PCM)。适 用于这些应用的典型相变材料使用与一种或多种金属元素(如In、Ge、Ga、Sn或Ag)结合的 周期表第VIB族(硫属化物如Te或Po)和第VB族(如...
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