用于相变材料的化学-机械抛光的组合物及方法

专利名称：：用于相变材料的化学-机械抛光的组合物及方法
技术领域：
：本发明涉及抛光组合物以及使用其抛光基材的方法。更具体而言，本发明涉及适于抛光含有相变材料(如锗-锑-碲合金)的基材的化学-机械抛光组合物。
背景技术：
：PRAM(相变随机存取存储器)器件(也称为双向存储器件或PCRAM器件)使用可在绝缘的非晶相与导电的晶相之间进行电切换以用于电子存储器应用的相变材料(PCM)。适用于这些应用的典型相变材料使用与一种或多种金属元素(如In、Ge、Ga、Sn或Ag)结合的周期表第VIB族(硫属化物如Te或Po)和第VB族(如Sb)的各种元素。特别有用的相变材料是锗(Ge)-锑(Sb)-碲(Te)合金(GST合金)，例如具有式Ge2Sb2Te5的合金(GST225)。该些材料可根据加热/冷却速率、温度和时间可逆地改变物理状态。其它有用的合金包括锑化铟(InSb)。通过不同物理相态或状态的导电性质，使得PRAM器件中的存储信息以最小的损失得到保存。用于化学-机械抛光(CMP)基材表面的组合物及方法在本领域中是公知的。用于抛光半导体基材(例如集成电路)的含金属表面的抛光组合物(也称为抛光浆料、CMP浆料及CMP组合物)通常含有研磨剂、各种添加剂化合物等，且经常与氧化剂一起使用。在常规的CMP技术中，在CMP装置中，将基材夹持器(抛光头)安装在夹持器组件上并将其定位成与抛光垫接触。该夹持器组件提供可控制的压力("向下的力"或"下压力")，以迫使基材抵靠在抛光垫上。使该垫与具有附着的基材的夹持器彼此发生相对移动。该垫与基材的相对移动用于研磨该基材的表面以从该基材表面移除一部分材料，从而抛光该基材。通常进一步通过抛光组合物的化学活性(例如，由于存在于CMP组合物中的氧化剂、螯合剂、腐蚀抑制剂、酸等所致)和/或悬浮于抛光组合物中的研磨剂的机械活性来协助和控制基材表面的抛光。典型的研磨材料包括，例如，二氧化硅(硅石)、氧化铈(铈土)、氧化铝(砜土)、氧化锆(锆氧土)、二氧化钛(氧化钛)、及氧化锡。例如，Neville等人的美国专利5527423描述了一种通过用抛光浆料接触金属层的表面而对金属层进行化学-机械抛光的方法，该抛光浆料包含悬浮在含水介质中的高纯度金属氧化物细颗粒。或者，可将研磨材料结合到抛光垫中。Cook等人的美国专利5489233公开了具有表面纹理或图案的抛光垫的用途，且Bruxvoort等人的美国专利5958794公开了一种固定研磨剂抛光垫。CMP技术可用于使用相变材料来制造存储器件；然而，目前的CMP组合物在用于抛光包括相对软的相变材料(例如GST或InSb合金)的基材时经常不提供足够的平坦性。具体而言，许多相变材料(例如GST或InSb)的物理性质使它们相对于其它用于PCM芯片中的材料是"软的"。例如，含有相对高的固体物浓度(如大于约3%)的典型CMP抛光浆料通过研磨颗粒的机械作用来移除相变材料(例如GST合金)，导致在该相变材料的表面上有重的刮痕。当使用这样的高固体物浓度的CMP组合物时，由于该CMP浆料不能移除所有的相变材料，因此在抛光后相变材料残渣通常残留在下面的介电膜上。相变材料残渣在器件4制造的后续步骤中引起进一步的综合问题。共同拥有且同时待审的美国专利申请11/699129描述了利用颗粒研磨剂和含水载体、任选的氧化剂、及至少一种螯合剂以抛光相变材料的CMP组合物及方法。该研磨材料在该组合物中的存在浓度不超过约3重量％。该螯合剂包含化合物或者化合物的组合，所述化合物或化合物的组合能够螯合正在抛光的基材中所存在的PCM或其组分(如锗、铟、锑和/或碲类物质)、或螯合在以该CMP组合物抛光该基材期间由PCM形成的物质(如氧化产物)。使用氧化剂的用于抛光相变材料(如GST)的CMP组合物的一个缺点在于在PCM的表面上可累积氧化物覆盖层，这可降低PCM器件的电性能。不断地需要开发新型CMP组合物，与常规的CMP组合物相比，该新型CMP组合物降低基材表面上的PCM氧化物累积程度且同时仍然提供对相变材料的可接受的快速移除。本发明提供了这样的经改善的CMP组合物。从本文提供的对本发明的描述，本发明的这些和其它优点以及额外的发明特征将变得明晰。
发明内容本发明提供适于抛光含有相变材料的基材的化学_机械抛光组合物。该CMP组合物包含颗粒研磨材料、以及赖氨酸、任选的氧化剂、和为此的含水载体。优选地，该研磨材料以不超过约6重量％的浓度存在。据信，赖氨酸起到PCM氧化抑制剂的作用，其降低了氧化物层在PCM表面上的不期望的累积。本发明还提供了一种使用本发明的CMP组合物抛光PCM基材表面的方法。优选的方法包括以下步骤使含PCM的基材的表面与抛光垫及本发明的含水CMP组合物接触；以及使抛光垫与基材之间发生相对运动，同时保持CMP组合物的一部分与在该垫和该基材之间的表面接触。将该相对运动保持一段足以从该基材磨除PCM的至少一部分的时间。图1显示了与含有约1重量％的赖氨酸和约1重量％的过氧化氢的水溶液(pH值约为3)接触的GST电极的电化学腐蚀的塔费尔(电压-log(电流))曲线、以及作为对比的与含有约3重量％的丙二酸和约1重量％的过氧化氢的水溶液(pH值约为3)接触的GST电极的腐蚀的塔费尔(电压-log(电流))曲线。图2显示了在1重量％的含水过氧化氢(pH值为2.9)中所获得的电化学GST腐蚀的塔费尔曲线以及作为对比的在水(PH值为2.9)中所获得的电化学GST腐蚀的塔费尔曲线。具体实施例方式本发明提供了在氧化剂的存在下，可用于抛光含有相变材料的基材的CMP组合物。相对于常规的CMP组合物，本发明的CMP组合物提供对PCM的均匀移除并同时降低在基材表面上的PCM氧化物累积程度。本发明的CMP组合物包含在含水载体例如水(如去离子水)中的颗粒研磨材料和赖氨酸。在一些实施方式中，组合物包含螯合剂，所述螯合剂能够螯合正在抛光的基材中所存在的PCM或其组分(如锗、铟、锑和/或碲类物质)、或者能够在抛光过程中螯合由PCM形成的物质(如由PCM形成的氧化产物)。在其它实施方式中，组合物还包含氧化剂。可用于本发明的CMP组合物的颗粒研磨剂包括适用于半导体材料的CMP的任何研磨材料。合适的研磨材料的非限制性实例包括二氧化硅(如热解二氧化硅和/或胶体二氧化硅)、氧化铝、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆、或前述研磨剂中的两种或更多种的组合，其在CMP领域中是公知的。优选的金属氧化物研磨剂包括胶体二氧化硅、热解二氧化硅及a-氧化铝。优选地，该研磨材料以不超过约6重量％的量存在于该组合物中。优选地，该研磨材料以约0.001重量％约6重量％、更优选约0.01重量％约5重量％、最优选约0.1重量％约1重量X的浓度存在于该CMP组合物中。通过本领域公知的激光光散射技术测定，所述研磨剂颗粒优选具有约5nm约250nm、更优选约50nm约150nm的平均粒度。该研磨剂合意地悬浮于该CMP组合物中，更具体而言悬浮于该CMP组合物的含水组分中。当该研磨剂悬浮于该CMP组合物中时，该研磨剂优选是胶体稳定的。术语"胶体"是指研磨剂颗粒在液体载体中的悬浮液。"胶体稳定性"是指该悬浮液在选定的时间内具有最小沉降的保持性。在本发明的范围内，当将研磨剂置于lOOmL量筒中且在不搅动的情况下将其静置约2小时时，若在该量筒底部50mL中的颗粒浓度([B]，以g/mL为单位)与在该量筒顶部50mL中的颗粒浓度([T]，以g/mL为单位)之间的差除以研磨组合物中的颗粒的初始浓度([C]，以g/mL为单位)小于或等于约0.5(S卩，([B]-[T])/[C]《0.5)，则认为研磨剂是胶态稳定的。期望地，([B]-[T])/[C]的值小于或等于约0.3、且优选小于或等于约0.1。适用于本发明的CMP组合物及方法的氧化剂非限制性地包括过氧化氢、过硫酸盐(例如单过硫酸(monopersulfate)铵、二过硫酸(dipersulfate)铵、单过硫酸钾及二过硫酸钾)、高碘酸盐(例如高碘酸钾)、及前述氧化剂中的两种或更多种的组合。过氧化氢是特别优选的。优选地，该氧化剂以约0.01重量％约6重量％、更优选约0.1重量％约4重量％的浓度(以组合物与加入其中的过氧化氢的总重量计)存在于该组合物中，或者该氧化剂以前述浓度与该CMP组合物一起使用。本发明组合物包含赖氨酸，以组合物总重量计，其浓度优选为约0.01重量％约5重量％、更优选为约0.05重量％约2重量％。据信，在存在氧化剂(如过氧化氢)的CMP期间，赖氨酸抑制PCM的氧化(特别是GST的氧化)，且减少累积在PCM基材表面上的氧化产物的量。本发明的CMP组合物优选具有约2约11、更优选约2约5、最优选约2约4的pH值。该CMP组合物可任选地包含一种或多种pH缓冲材料，例如乙酸铵、柠檬酸二钠等。许多这样的pH缓冲材料在本领域中是公知的。任选地，本发明的CMP组合物可包含一种或多种螯合剂，其中，所述螯合剂能够螯合存在于正在被抛光的基材中的PCM或其组分(例如锗、铟、锑和/或碲类物质)或者能够螯合在CMP过程中由PCM或其组分形成的物质。合适的螯合剂的非限制性实例包括二羧酸(例如草酸、丙二酸、丁二酸、马来酸、邻苯二甲酸、酒石酸、天冬氨酸、谷氨酸等)、多元羧酸(例如柠檬酸、l，2，3，4-丁烷四羧酸、聚丙烯酸、聚马来酸等)、氨基羧酸(例如a-氨基酸、P-氨基酸、"-氨基酸等)、磷酸盐、多磷酸盐(polyphosphate)、氨基膦酸盐、膦酰基羧酸、聚合物螯合剂、其盐、前述螯合剂中的两种或更多种的组合等。优选的螯合剂包括草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸、其盐、以及前述螯合剂中的两种或更多种的组合。当使用螯合剂时，螯合剂在组合物中的存在浓度为约0.1重量％约3重量％。此外，本发明CMP组合物可包含其它任选成分，如杀生物剂、分散剂、粘度调节剂、缓冲剂、pH调节剂、金属腐蚀抑制剂(如苯并三唑或l，2，4-三唑)等。本发明的CMP组合物可通过任何合适的技术制备，其中的许多是本领域技术人员已知的。该CMP组合物可以间歇或连续工艺制备。通常，该CMP组合物可通过以任意次序组合其各组分而制备。本文所使用的术语"组分"包括单独成分(例如，研磨剂、赖氨酸、螯合剂、酸、碱、氧化剂等)以及各成分的任意组合。例如，可将研磨剂分散于水中，且可加入赖氨酸，并通过任何能够将各组分加入到CMP组合物中的方法进行混合。当存在氧化剂时，该氧化剂可在任何合适的时间加入到该组合物中。在一些实施方式中，直到该组合物准备用于CMP工艺时，才将该氧化剂添加到该CMP组合物中，例如刚好在开始抛光之前添加该氧化剂。可在任何合适的时刻调节pH值。本发明的CMP组合物还可提供作为浓縮物，该浓縮物用于在使用之前以适量的含水载体(例如水)进行稀释。在这样的实施方式中，CMP组合物浓縮物可包括以这样的量分散或溶解于含水载体中的各种组分，所述量使得在以适量的含水载体稀释该浓縮物后，该抛光组合物的各组分将以在适于使用的范围内的量存在于该CMP组合物中。本发明还提供一种化学机械抛光包含PCM的基材的方法。优选的方法包括(i)将基材的表面与抛光垫及本文所述的本发明的CMP组合物接触，以及(ii)相对于该基材的该表面移动该抛光垫，其间具有该抛光组合物，由此从该基材磨除PCM的至少一部分以抛光其表面。本发明的CMP方法可用于抛光任何合适的基材，并且尤其可用于抛光包含GST合金、InSb等的基材。优选地，该PCM为GST合金(如Ge2Sb2Te5)或InSb。优选地，该基材还包括衬垫材料(例如Ti或TiN)以及在其下面的二氧化硅层。在优选的方法中，PCM及衬垫层被磨除，且该磨除终止于二氧化硅层处。本发明的CMP方法特别适用于与化学_机械抛光装置结合使用。通常，该CMP装置包括压板，所述压板在使用时处于运动中且具有由轨道、线性和/或圆周运动导致的速度。抛光垫安装在压板上并与该压板一起移动。夹持器组件保持待抛光的基材与该垫接触且相对于该抛光垫的表面移动，同时以选定的压力(向下的力)推动基材，使其压在该垫上以有助于基材表面的研磨。通常将CMP组合物泵送到抛光垫上以帮助抛光加工。该基材的抛光通过移动的抛光垫与存在于该抛光垫上的本发明的CMP组合物的组合研磨作用来完成，该组合研磨作用磨除该基材表面的至少一部分且由此抛光该表面。可使用任何合适的抛光垫(例如，抛光表面)以本发明的CMP组合物来平坦化或抛光基材。合适的抛光垫的非限制性实例包括编织及非编织抛光垫，如果期望的话，其可包含固定的研磨剂。此外，合适的抛光垫可包含具有任何合适密度、硬度、厚度、可压縮性、压縮时的回弹能力及压縮模量、化学稳定性、和/或耐化学性的任意聚合物，这些聚合物是CMP领域所公知的。合适的聚合物包括，例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龙、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成产物、及其混合物。合意的是，该CMP装置进一步包括原位抛光终点检测系统，其中的许多在本领域中是已知的。通过分析从工件表面反射的光或其它辐射来检测及监控抛光过程的技术是本领域中已知的。这样的方法描述于例如，Sandhu等人的美国专利5196353、Lustig等人的美国专利5433651、Tang的美国专利5949927及Birang等人的美国专利5964643中。合意的是，对于正在被抛光的工件的抛光过程进度的检测或监控使得可以确定抛光终点，即，确定何时终止对于特定工件的抛光过程。以下实施例进一步说明本发明，但当然不应理解为以任何方式限制本发明的范围。实施例1该实施例说明了在过氧化氢的存在下的赖氨酸的GST氧化抑制活性。在环境室温下，将单独的GST晶片(1厘米X1厘米，Ge^bJe5;GST225)浸在各种含水测试溶液中约100秒。对照溶液具有约为3的pH值，且含有约1重量％的在水中的过氧化氢。其它测试溶液含有与苯并三唑(BTA;约0.1重量％)、赖氨酸(约1重量％)、或丙二酸(约3重量％)—起使用的约1重量％的过氧化氢。在将所述晶片浸入到测试溶液中之前，其具有光泽的金属外观。浸泡后，晶片表面上的褐色着色表明在该表面上形成了GST氧化物层。表l中示出了这些评估的结果以及所测试的溶液的配方。如表l中的信息所显示，赖氨酸有效地且基本上抑制GST氧化物覆盖层在晶片表面上的形成。BTA具有轻微的抑制效果，而单独使用过氧化氢以及将过氧化氢与丙二酸一起使用均形成了显著的氧化物层。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>实施例2该实施例说明了利用电化学测量法测量的在过氧化氢的存在下的赖氨酸的GST氧化抑制活性。将GST225(Ge2Sb2Te5)转盘电极(直径1厘米)浸没到含有约1重量％赖氨酸和约1重量％过氧化氢的含水溶液(pH值约为3)中。实施线性扫描伏安法，且将相对于标准氢电极(S啦的电压对腐蚀电流的对数(log[I])绘图而获得塔费尔曲线(图1)。使用浸没在含有约3重量％丙二酸和约1重量X过氧化氢且pH值约为3的含水溶液中的基本上相似的GST电极通过相同过程也获得塔费尔曲线(图1)以用于比较。图1的塔费尔曲线显示赖氨酸/过氧化氢溶液的腐蚀电流约为0.22毫安，而丙二酸/过氧化氢溶液(不含赖氨酸)的腐蚀电流约为4.5毫安。为供比较用，获得pH值为2.9的l重量X过氧化氢水溶液及pH值为2.9的水的塔费尔曲线(见图2)。在这些实验中，所述1重量％过氧化氢溶液的腐蚀电流约为0.2毫安，且水的腐蚀电流约为0.17毫安。这些结果显示，相较于以丙二酸和过氧化氢的水溶液所获得的腐蚀电流，赖氨酸显著降低了在具有酸性pH值的含水过氧化氢中的GST腐蚀电流。实施例3该实施例说明了利用x-射线光电子发射光谱法(XPS)测量的赖氨酸的GST氧化抑制活性。实施使用以氩溅射来作深度分布图(d印thprofiling)的XPS实验，以测定氧化物层厚度，其中，所述氧化物层厚度通过在O.5重量％赖氨酸或3重量％丙二酸的存在下，以1重量％的过氧化氢(pH值为3)氧化GST225而获得。通过溅射具有已知厚度的Si02试样以校正厚度测量值。在移除约4纳米的表面膜之后，当氧化峰消失时即获得氧化厚度。表2中示出了所观测到的氧化厚度(以Si02等效厚度计，单位为埃)。如表2中的数据所示，对于锗和锑来说，赖氨酸使氧化物层厚度降低了约50%，对于碲来说，赖氨酸使氧化物层厚度降低了约66%。表2溶液__GeSbTe3%丙二酸，1%过氧化氳，pH值为3160埃160埃120埃0.5%赖氨酸，1%过氧化氢，pH值为380埃80埃40埃实施例4该实施例说明了本发明CMP组合物在CMP过程中有效移除GST膜的能力。在约1重量％过氧化氢(以该抛光组合物和过氧化氢的总重量计)的存在下，在使用IC1010抛光垫的200毫米Mirra抛光机上以下列条件抛光在晶片表面上具有约5000埃的Ge2Sb2Te5膜的硅晶片压板速率为约93转/分钟(rpm)、夹持器速率为约87rpm、下压力为约4磅/每平方英寸(psi)、且浆料流速为200毫升/分钟(ml/min)。经评估的CMP组合物各自含有约1重量％的过氧化氢且pH值约为3。对比组合物4A含有约1重量％的胶体二氧化硅(平均粒径为130纳米)和约3重量％的丙二酸。(本发明的)组合物4B含有3.5重量％的胶体二氧化硅(平均粒径为130纳米)和约0.5重量％的赖氨酸。表3中示出了GST的移除速率(RR)。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>对比组合物4A表示由共同拥有且同时待审的美国专利申请11/699129(Dysard等人)所教导的组合物，该专利申请教导了将丙二酸和相似材料与不超过约3重量％的研磨剂一起使用。表3中所示的组合物4B的移除速率显示，即使在未存在丙二酸的情况下，本发明的组合物仍可获得优异的GST移除速率。将本文中引用的所有参考文献(包括出版物、专利申请和专利)在此引入作为参考，其参考程度如同各参考文献被单独和具体说明以引入作为参考并且各参考文献在本文中全部阐述一般。在描述本发明的范围(特别是所附权利要求的范围)中使用术语"一个"和"一种"和"该"以及类似的指示物应理解为包含单数和复数，除非本文中另有说明或上下文明显矛盾。术语"包含"、"具有"、"包括"、和"含有"应理解为开放式术语(即，意味着"包括，但不限于")，除非另有说明。本文中数值范围的列举仅仅用作单独提及落在该范围内的每个独立值的简写方法，除非本文中另有说明，并且在说明书中引入每个独立值，就如同其在这里被单独列举一样。本文描述的所有方法可以任何适宜的顺序进行，除非另有说明或上下文明显矛盾。本文中提供的任何和所有实例、或示例性语言(如，"例如")的使用仅用来更好地说明本发明，而不是对本发明的范围加以限定，除非另有说明。说明书中没有语言应被理解为是在将任何非要求保护的要素表明为是本发明的实践所必需的。本文中描述了本发明的优选实施方式，包括本发明人已知的进行本发明的最佳模式。通过阅读上述说明书，那些优选实施方式的变化对于本领域的普通技术人员来说将变得明晰。本发明人希望技术人员适当地采用这种变化，且本发明人希望本发明用不同于本文具体描述的方式进行实践。因此，本发明包括适用法律所允许的、所附权利要求书中所列举的主题的所有修改和等价物。此外，在其所有可能变化中的上述要素的任意组合包括在本发明中，除非本文另有说明或上下文明显矛盾。10权利要求一种用于抛光含有相变材料的基材的化学-机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含(a)颗粒研磨材料；(b)赖氨酸；以及(c)为此的含水载体。2.权利要求1的CMP组合物，其中该颗粒研磨材料以约0.001重量％约6重量％的浓度存在。3.权利要求1的CMP组合物，其中该赖氨酸以约0.01重量％约5重量％的浓度存在。4.权利要求l的CMP组合物，其中该颗粒研磨材料选自胶体二氧化硅、热解二氧化硅、及a-氧化铝。5.权利要求1的CMP组合物，其进一步包含氧化剂。6.权利要求5的CMP组合物，其中该氧化剂以约0.01重量％约6重量％的浓度存在。7.权利要求5的CMP组合物，其中该氧化剂包含选自过氧化氢、过硫酸盐、高碘酸盐、及其盐的至少一种氧化剂。8.权利要求5的CMP组合物，其中该氧化剂包含过氧化氢。9.一种用于抛光含有相变材料的基材的化学-机械抛光(CMP)方法，该方法包括在氧化剂的存在下以权利要求1的CMP组合物研磨该基材的表面。10.—种用于抛光含有相变材料的基材的化学-机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤(a)在氧化剂的存在下，使该基材的表面与抛光垫及含水CMP组合物接触，该CMP组合物包含含水载体、颗粒研磨材料和赖氨酸；以及(b)使该抛光垫与该基材之间发生相对运动，同时保持该CMP组合物的一部分与在该垫及该基材之间的表面接触一段足以从该基材磨除该相变材料的至少一部分的时间。11.权利要求10的CMP方法，其中该颗粒研磨材料以约0.001重量％约6重量％的浓度存在于该组合物中。12.权利要求10的CMP方法，其中该赖氨酸以约0.01重量％约5重量％的浓度存在于该组合物中。13.权利要求10的CMP方法，其中该颗粒研磨材料选自胶体二氧化硅、热解二氧化硅、及a-氧化铝。14.权利要求IO的CMP方法，其中该氧化剂包含选自过氧化氢、过硫酸盐、高碘酸盐、及其盐的至少一种材料。15.权利要求10的CMP方法，其中该氧化剂包含过氧化氢。16.权利要求10的CMP方法，其中该氧化剂以约0.01重量％约6重量％的浓度存在。17.权利要求10的CMP方法，其中该基材包含锗_锑_碲(GST)合金的表层。18.权利要求17的CMP方法，其中该基材进一步包含位于该表层之下的衬垫材料。19.权利要求18的CMP方法，其中该衬垫材料选自Ti、TiN、及其组合。20.权利要求18的CMP方法，其中该基材进一步包含位于该衬垫材料之下的二氧化硅层。21.权利要求20的CMP方法，其中该GST合金及该衬垫材料各自被磨除，且该磨除终止于该二氧化硅层处。22.权利要求10的CMP方法，其中该基材包含锑化铟(InSb)。全文摘要本发明提供了一种适于抛光含有相变材料(PCM)例如锗-锑-碲(GST)合金的基材的化学-机械抛光(CMP)组合物。该组合物包含颗粒研磨材料、以及赖氨酸、任选的氧化剂、和为此的含水载体。本发明还公开了利用该组合物来抛光含有相变材料的基材的CMP方法。文档编号H01L21/302GK101765647SQ200880100535公开日2010年6月30日申请日期2008年7月24日优先权日2007年7月26日发明者罗伯特·瓦卡西,罗凯,陈湛申请人:卡伯特微电子公司